"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063785019110026
Антипов В.В.1, Кукушкин С.А. 2, Осипов А.В. 3
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com, andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 1 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Получены эпитаксиальные пленки сульфида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания. Для того чтобы избежать взаимодействия между кремнием и сульфидом цинка, на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~ 100 nm. Дифракция быстрых электронов показала, что слои ZnS являются эпитаксиальными. Эллипсометрическими методами доказано, что выращенные слои ZnS прозрачны в области энергий фотонов вплоть до 3 eV, что имеет решающее значение для приложений в оптоэлектронике. Ключевые слова: широкозонные полупроводники, сульфид цинка, карбид кремния, метод молекулярного наслаивания.
  1. Садовников С.И. // Успехи химии. 2019. T. 88. В. 6. С. 571--593. DOI: 10.1070/ RCR4867
  2. Pathak T.K., Kumar V., Purohit L.P., Swart H.C., Kroon R.E. // Physica E. 2016. V. 84. P. 530--536. DOI: 10.1016/j.physe.2016.06.020
  3. Kaplan H.K., Akay S.K., Ahmetoglu M. // Superlatt. Microstruct. 2018. V. 120. P. 402--409. DOI: 10.1016/j.spmi.2018.05.055
  4. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 313001 (1--41). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
  5. Антипов В.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Рубец В.П. // ФТТ. 2018. Т. 60. В. 3. С. 499--504. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45552.275
  6. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Романычев А.И. // ФТТ. 2016. Т. 58. В. 7. С. 1398--1402. DOI: 10.1134/S1063783416070246
  7. Малыгин А.А., Малков А.А., Соснов Е.А. // Изв. АН. Сер. хим. 2017. N 11. С. 1939--1962. DOI: 10.1007/s11172-017-1971-9
  8. Hsu C.T. // Mater. Chem. Phys. 1999. V. 58. P. 6--11. DOI: 10.1016/S0254-0584(98)00238-7

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.