Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 19 » Статья стр. 37
<<<>>>
Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2019.19.48316.17938
Переводная версия: 10.1134/S1063785019100158
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), ОФИ-М, 16-29-03127
Минобрнауки России , 3.9787.2017/8.9
Зубов Ф.И.1, Моисеев Э.И.1, Корнышов Г.О.1, Крыжановская Н.В.1, Шерняков Ю.М.2, Паюсов А.С.2, Кулагина М.М.2, Калюжный Н.А.2, Минтаиров С.А.2, Максимов М.В.1, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2019 г.
PDF версия
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика.
  1. Munsch M., Claudon J., Malik N.S., Gilbert K., Grosse P., Gerard J.-M., Albert F., Langer F., Schlereth T., Pieczarka M.M., Hofling S., Kamp M., Forchel A., Reitzenstein S. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. N 3. P. 031111
  2. Zou L.-X., Huang Y.-Zh., Liu B.-W., Lv X.-M., Ma X.-W., Yang Y.-D., Xiao J.-L., Du Y. // Opt. Express. 2015. V. 23. N 3. P. 2879--2888
  3. Coldren L.A., Corzine S.W., Masanovic M.L. Diode lasers and photonic integrated circuit. 2nd ed. Hoboken, N.J., USA: Wiley, 2012. Section 4.5.2
  4. Moiseev E.I., Kryzhanovskaya N.V., Zubov F.I., Mikhailovskii M.S., Abramov A.N., Maximov M.V., Kulagina M.M., Guseva Yu.A., Livshits D.A., Zhukov A.E. // Semiconductors. 2019. In press
  5. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Kudashova Yu.V., Zubov F.I., Lipovskii A.A., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Livshits D.A., Maximov M.V., Zhukov A.E. // Electron. Lett. 2015. V. 51. N 17. P. 1354--1355
  6. Ouyang D., Ledentsov N.N., Bimberg D., Kovsh A.R., Zhukov A.E., Mikhrin S.S., Ustinov V.M. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. N 12. P. L53--L54
  7. Moiseev E., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Zubov F., Nadtochiy A., Kulagina M., Zadiranov Yu., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Zhukov A. // Opt. Lett. 2018. V. 43. N 19. P. 4554--4557
  8. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Zubov F.I., Mozharov A.M., Maximov M.V., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Kulagina M.M., Blokhin S.A., Kudryavtsev K.E., Yablonskiy A.N., Morozov S.V., Berdnikov Yu., Rouvimov S., Zhukov A.E. // Photon. Res. 2019. V. 7. N 6. P. 664--668
  9. Bour D.P., Rosen A. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 7. P. 2813--2818

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme