Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 15 » Статья стр. 21
<<<>>>
Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
DOI: 10.21883/PJTF.2019.15.48081.17844
Переводная версия: 10.1134/S1063785019080108
Министерство образования и науки РФ , соглашениe №14.577.21.0250 от 26.09.17, RFMEFI57717X0250
Малин Т.В. 1, Милахин Д.С.1, Александров И.А.1, Земляков В.Е.2, Егоркин В.И.2, Зайцев А.А.2, Протасов Д.Ю.1,3, Кожухов А.С.1, Бер Б.Я.4, Казанцев Д.Ю.4, Мансуров В.Г.1, Журавлёв К.С.1,5
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: mal-tv@isp.nsc.ru, dmilakhin@isp.nsc.ru, aleksandrov@isp.nsc.ru, vzml@rambler.ru, egorkin@qdn.miee.ru, Ziko27@yandex.ru, protasov@isp.nsc.ru, kozhukhov@isp.nsc.ru, boris.ber@mail.ioffe.ru, dukazantsev@ya.ru, mansurov@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.
PDF версия
Продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии намеренно нелегированных высокоомных буферных слоев GaN в AlGaN/GaN-гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов. Оптимизация ростовых условий GaN проведена на основании расчетов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака. Ключевые слова: GaN, собственные точечные дефекты, фоновые примеси, AlGaN/GaN, HEMT, NH3-MBE.
  1. Caliebe M., Scholz F. // Annual Report. Institute of Optoelectronics, Ulm University, 2016. P. 23--28
  2. Bougrioua Z., Azize M., Jimenez A., Brana A.-F., Lorenzini P., Beaumont B., Munoz E., Gibart P. // Phys. Status Solidi C. 2005. V. 2. N 7. P. 2424--2428. DOI: 10.1002/pssc.200461588
  3. Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F. // J. Cryst. Growth. 2016. V. 449. P. 108--113. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.06.002
  4. Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi D., Ng H.M., Moustakas T.D. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 7. P. 3656--3659. DOI: 10.1063/1.366585
  5. Rudzinski M., Desmaris V., van Hal P.A., Weyher J.L., Hageman P.R., Dynefors K., Rodle T.C., Jos H.F.F., Zirath H., Larsen P.K. // Phys. Status Solidi C. 2006. V. 3. N 6. P. 2231--2236. DOI: 10.1002/pssc.200565379
  6. Gamarra P., Lacam C., Tordjman M., Splettstosser J., Schauwecker B., di Forte-Poisson M.-A. // J. Cryst. Growth. 2015. V. 414. P. 232-236. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.10.025
  7. Schubert F., Wirth S., Zimmermann F., Heitmann J., Mikolajick T., Schmult S. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2016. V. 17. N 1. P. 239--243. DOI: 10.1080/14686996.2016.1178565
  8. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. N 18. P. 3865--3868. DOI: 10.1103/PhysRevLett.77.3865
  9. Hamann D.R. // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. N 8. P. 085117. DOI: 10.1103/PhysRevB.88.085117
  10. Van de Walle C.G., Neugebauer J. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. N 8. P. 3851--3879. DOI: 10.1063/1.1682673
  11. Малин Т.В., Милахин Д.С., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Кожухов А.С., Ратников В.В., Смирнов А.Н., Давыдов В.Ю., Журавлeв К.С. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 6. С. 643--650. DOI: 10.21883/PJTF.2019.15.48081.17844

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme