Малин Т.В.
1, Милахин Д.С.1, Александров И.А.1, Земляков В.Е.2, Егоркин В.И.2, Зайцев А.А.2, Протасов Д.Ю.1,3, Кожухов А.С.1, Бер Б.Я.4, Казанцев Д.Ю.4, Мансуров В.Г.1, Журавлёв К.С.1,5
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: mal-tv@isp.nsc.ru, dmilakhin@isp.nsc.ru, aleksandrov@isp.nsc.ru, vzml@rambler.ru, egorkin@qdn.miee.ru, Ziko27@yandex.ru, protasov@isp.nsc.ru, kozhukhov@isp.nsc.ru, boris.ber@mail.ioffe.ru, dukazantsev@ya.ru, mansurov@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.
Продемонстрирована возможность получения методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии намеренно нелегированных высокоомных буферных слоев GaN в AlGaN/GaN-гетероструктурах с высокой подвижностью электронов для транзисторов. Оптимизация ростовых условий GaN проведена на основании расчетов концентраций фоновых примесей и точечных дефектов для различных соотношений потоков галлия и аммиака. Ключевые слова: GaN, собственные точечные дефекты, фоновые примеси, AlGaN/GaN, HEMT, NH3-MBE.
- Caliebe M., Scholz F. // Annual Report. Institute of Optoelectronics, Ulm University, 2016. P. 23--28
- Bougrioua Z., Azize M., Jimenez A., Brana A.-F., Lorenzini P., Beaumont B., Munoz E., Gibart P. // Phys. Status Solidi C. 2005. V. 2. N 7. P. 2424--2428. DOI: 10.1002/pssc.200461588
- Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F. // J. Cryst. Growth. 2016. V. 449. P. 108--113. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.06.002
- Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi D., Ng H.M., Moustakas T.D. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 7. P. 3656--3659. DOI: 10.1063/1.366585
- Rudzinski M., Desmaris V., van Hal P.A., Weyher J.L., Hageman P.R., Dynefors K., Rodle T.C., Jos H.F.F., Zirath H., Larsen P.K. // Phys. Status Solidi C. 2006. V. 3. N 6. P. 2231--2236. DOI: 10.1002/pssc.200565379
- Gamarra P., Lacam C., Tordjman M., Splettstosser J., Schauwecker B., di Forte-Poisson M.-A. // J. Cryst. Growth. 2015. V. 414. P. 232-236. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.10.025
- Schubert F., Wirth S., Zimmermann F., Heitmann J., Mikolajick T., Schmult S. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2016. V. 17. N 1. P. 239--243. DOI: 10.1080/14686996.2016.1178565
- Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. N 18. P. 3865--3868. DOI: 10.1103/PhysRevLett.77.3865
- Hamann D.R. // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. N 8. P. 085117. DOI: 10.1103/PhysRevB.88.085117
- Van de Walle C.G., Neugebauer J. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. N 8. P. 3851--3879. DOI: 10.1063/1.1682673
- Малин Т.В., Милахин Д.С., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Кожухов А.С., Ратников В.В., Смирнов А.Н., Давыдов В.Ю., Журавлeв К.С. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 6. С. 643--650. DOI: 10.21883/PJTF.2019.15.48081.17844
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.