Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
Переводная версия: 10.1134/S106378501907023X 
Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1, Заварин Е.Е.1, Закгейм Д.А.1, Лундина Е.Ю.1, Брунков П.Н.1, Цацульников А.Ф.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: lundin.vpegroup@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Исследованы морфология и электрические свойства полуизолирующих эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что улучшение изолирующих свойств слоев при повышении уровня легирования углеродом или железом ограничено ухудшением морфологии, при этом характер развития морфологии различен для этих двух примесей. Установлено, что совместное легирование углеродом и железом позволяет сохранить планарность поверхности GaN при существенном улучшении изолирующих свойств. Ключевые слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, полуизолирующий нитрид галлия, ток утечки, совместное легирование.
- Lampert M.A., Mark P. Current injection in solids. N.Y.-London: Academic Press, 1970. 354 p. [Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с.]
- Song Ch., Yang X., Ji P., Tang J., Hu A., Feng Y., Lin W., Ge W., Yang Zh., Xu F., Shen B. // Superlatt. Microstruct. 2019. V. 128. P. 199--203. DOI: 10.1016/j.spmi. 2019.01.028
- Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi Dh., Ng H.M., Moustakas T.D. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 7. P. 3656--3659
- Li X., Danielsson O., Pedersen H., Janzen E., Forsberg U. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2015. V. 33. N 2. P. 021208. DOI: 10.1116/1.4914316
- Lundin W.V., Sakharov A.V., Zavarin E.E., Kazantsev D.Yu., Ber B.Ya., Yagovkina M.A., Brunkov P.N., Tsatsulnikov A.F. // J. Cryst. Growth. 2016. V. 449. P. 108--113. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.06.002
- Lesnik A., Hoffmann M.P., Fariza A., Blasing J., Witte H., Veit P., Horich F., Berger Ch., Hennig J., Dadgar A., Strittmatter A. // Phys. Status Solidi B. 2017. V. 254. N 8. P. 1600708. DOI: 10.1002/pssb.201600708
- Tsuchiya T., Terano A., Mochizuki K. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. N 5S. P. 05FE05. DOI: 10.7567/JJAP.55.05FE05
- Rudzinski M., Desmaris V., van Hal P.A., Weyher J.L., Hageman P.R., Dynefors K., Rodle T.C., Jos H.F.F., Zirath H., Larsen P.K. // Phys. Status Solidi C. 2006. V. 3. N 6. P. 2231--2236. DOI: 10.1002/pssc.200565379
- Lei C., Haibo Y., Lijuan J., Quan W., Chun F., Hongling X., Cuimei W., Jiamin G., Bo Zh., Baiquan Li, Xiaoliang W., Zhanguo W. // J. Semicond. 2015. V. 36. N 10. P. 103002. DOI: 10.1088/1674-4926/36/10/103002
- Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Закгейм Д.А., Николаев А.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Цацульников А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 13. C. 51--58. DOI: 10.21883/PJTF.2018.13.46327.17310
- Лундин В.В., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Сахаров А.В., Синицын М.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 10. С. 85--91
- Fariza A., Lesnik A., Neugebauer S., Wieneke M., Hennig J., Blasing J., Witte H., Dadgar A., Strittmatter A. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. N 2. P. 025704. DOI: 10.1063/1.4993180
- Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Михайловский Г.А., Брунков П.Н., Гончаров В.В., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 7. С. 996--1001
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
