Вышедшие номера
Рост полупроводниковых III-V гетероструктур на подложках SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063785019070277
Шарофидинов Ш.Ш.1,2, Кукушкин С.А. 2,3, Редьков А.В. 2, Гращенко А.С. 4, Осипов А.В. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: shukrillo71@mail.ru , sergey.a.kukushkin@gmail.com, avredkov@gmail.com , asgrashchenko@bk.ru , andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Методом хлорид-гидридной эпитаксии на Si с буферным нанослоем SiC выращена гетероструктура, состоящая из трех толстых слоев: AlN (толщина ~ 0.72 μm), AlGaN (толщина ~ 1.82 μm) и GaN (толщина ~ 2.2 μm). Выращенная гетероструктура исследована методом сканирующей электронной микроскопии, методом энергодисперсионного анализа и с помощью ряда других методик. Исследования показали, что использование подложек SiC/Si позволяет выращивать пленки соединений III-V с высокой скоростью роста (~ 66 μm/h) без трещин и с небольшими остаточными упругими напряжениями (160 MPa). Ключевые слова: эпитаксия, гетероструктуры, широкозонные полупроводники, HVPE, карбид кремния, нитрид алюминия, нитрид галлия.