Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рост полупроводниковых III-V гетероструктур на подложках SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063785019070277 
Шарофидинов Ш.Ш.1,2, Кукушкин С.А.
2,3, Редьков А.В.
2, Гращенко А.С.
4, Осипов А.В.
2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: shukrillo71@mail.ru , sergey.a.kukushkin@gmail.com, avredkov@gmail.com , asgrashchenko@bk.ru , andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Методом хлорид-гидридной эпитаксии на Si с буферным нанослоем SiC выращена гетероструктура, состоящая из трех толстых слоев: AlN (толщина ~ 0.72 μm), AlGaN (толщина ~ 1.82 μm) и GaN (толщина ~ 2.2 μm). Выращенная гетероструктура исследована методом сканирующей электронной микроскопии, методом энергодисперсионного анализа и с помощью ряда других методик. Исследования показали, что использование подложек SiC/Si позволяет выращивать пленки соединений III-V с высокой скоростью роста (~ 66 μm/h) без трещин и с небольшими остаточными упругими напряжениями (160 MPa). Ключевые слова: эпитаксия, гетероструктуры, широкозонные полупроводники, HVPE, карбид кремния, нитрид алюминия, нитрид галлия.
- Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. N 31. P. 31300
- Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 8. С. 1457--1485
- Калинкин И.П., Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 6. С. 656--663
- Редьков А.В., Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Котляр К.П., Лихачев А.И., Нащекин А.В., Сошников И.П. // ФТТ. 2019. Т. 61. В. 3. С. 433--440
- Kukushkin S.A., Mizerov A.M., Osipov A.V., Redkov A.V., Timoshnev S.N. // Thin Solid Films. 2018. V. 646. P. 158--162
- Temple P.A., Hathaway C.E. // Phys. Rev. B. 1973. V. 7. N 8. P. 3685--3996
- Nakashima S.I., Harima H. // Phys. Status Solidi A. 1997. V. 162. N 1. P. 39--64
- Davydov V.Y., Kitaev Y.E., Goncharuk I.N., Smirnov A.N., Graul J., Semchinova O., Evarestov R.A. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. N 19. P. 12899
- Tripathy S., Chua S.J., Chen P., Miao Z.L. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. N 7. P. 3503--3510
- Bergman L., Bremser M.D., Perry W.G., Davis R.F., Dutta M., Nemanich R.J. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 15. P. 2157--2159
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
