"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние облучения ионами Si+ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония
Переводная версия: 10.1134/S1063785019070253
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), «мол_а» 2018, 18-37-00456
Окулич Е.В.1, Коряжкина М.Н.1, Королев Д.С.1, Белов А.И.1, Шенина М.Е.1, Михайлов А.Н.1, Тетельбаум Д.И.1, Антонов И.Н.1, Дудин Ю.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: jenuha@ya.ru, mahavenok@mail.ru, dmkorolev@phys.unn.ru, belov@nifti.unn.ru, cyrix@bk.ru, mian@nifti.unn.ru, tetelbaum@phys.unn.ru, ivant@nifti.unn.ru, yadudin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Исследовано резистивное переключение в мемристивных структурах на основе пленок стабилизированного оксидом иттрия диоксида циркония (40 nm), облученных ионами Si+ с энергией 6 keV и дозой 5.4·1015 cm-2. Установлено, что ионное облучение приводит к увеличению стабильности параметров резистивного переключения. Такое улучшение связывается с тем, что диаметр филаментов в результате облучения ограничивается латеральным размером области индивидуальных каскадов смещения (области, занимаемой точечными дефектами, создаваемыми налетающим ионом). Окисление таких филаментов в процессе резистивных переключений происходит более эффективно, что приводит к увеличению сопротивления в состоянии с высоким сопротивлением. Ключевые слова: резистивное переключение, мемристивные структуры, стабилизированный оксидом иттрия диоксид циркония, ионное облучение.
  1. Marchewka A., Roesgen B., Skaja K., Du H., Jia C.-L., Mayer J., Rana V., Waser R., Menzel S. // Adv. Electron. Mater. 2016. V. 2. P. 1500233 (1--13). DOI: 10.1002/aelm.201500233
  2. Matveyev Yu., Egorov K., Markeev A., Zenkevich A. // J. Appl. Phys. 2015. V. 117. N 4. P. 044901 (1--7). DOI: 10.1063/1.4905792
  3. Mehonic A., Shluger A.L., Gao D., Valov I., Miranda E., Ielmini D., Bricalli A., Ambrosi E., Li C., Yang J.J., Xia Q., Kenyon A.J. // Adv. Mater. 2018. V. 30. N 43. P. 1801187 (1--21). DOI: 10.1002/adma.201801187
  4. Yi W., Savel'ev S.E., Medeiros-Ribeiro G., Miao F., Zhang M.-X., Yang J.J., Bratkovsky A.M., Williams R.S. // Nature Commun. 2016. V. 7. P. 11142 (1--6). DOI: 10.1038/ncomms11142
  5. Parreira P., Paterson G.W., McVitie S., MacLaren D.A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2016. V. 49. N 9. P. 095111 (1--6). DOI: 10.1088/0022-3727/49/9/095111
  6. Sun Y., Song C., Yin J., Chen X., Wan Q., Zeng F., Pan F. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2017. V. 9. N 39. P. 34064--34070. DOI: 10.1021/acsami.7b09710
  7. Trapatseli M., Cortese S., Serb A., Khiat A., Prodromakis T. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. N 18. P. 184505 (1--8). DOI: 10.1063/1.4983006
  8. Wu W., Wu H., Gao B., Deng N., Qian H. // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. N 15. P. 152108 (1--6). DOI: 10.1063/1.5037896
  9. Alibart F., Gao L., Hoskins B.D., Strukov D.B. // Nanotechnology. 2012. V. 23. N 7. P. 075201 (1--7). DOI: 10.1088/0957-4484/23/7/075201
  10. Mikhaylov A.N., Gryaznov E.G., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Tikhov S.V., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., Rosario C.M.M., Sobolev N.A., Spagnolo B. // Phys. Status Solidi C. 2016. V. 13. N 10-12. P. 870--881. DOI: 10.1002/pssc.201600083
  11. Gonzalez-Velo Y., Barnaby H.J., Kozicki M.N. // Semicond. Sci. Technol. 2017. V. 32. P. 083002 (1--44). DOI: 10.1088/1361-6641/aa6124
  12. Fang R., Velo Y.G., Chen W., Holbert K.E., Kozicki M.N., Barnaby H., Yu. S. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. N 18. P. 183507 (1--5). DOI: 10.1063/1.4875748
  13. Gao L., Hoskins B., Zaynetdinov M., Kochergin V., Strukov D. // Appl. Phys. A. 2015. V. 120. N 4. P. 1599--1603. DOI: 10.1007/s00339-015-9368-9
  14. Barlas M., Grossi A., Grenouillet L., Vianello E., Nolot E., Vaxelaire N., Blaise P., Traore B., Coignus J., Perrin F., Crochemore R., Mazen F., Lachal L., Pauliac S., Pellissier C., Bernasconi S., Chevalliez S., Nodin J.F., Perniola L., Nowak E. Improvement of HfO2 based RRAM array performances by local Si implantation // 2017 IEEE Int. Electron Devices Meeting (San Francisco, USA). IEEE, 2017. P. 14.6.1--14.6.4. DOI: 10.1109/iedm.2017.8268392
  15. Xie H., Wang M., Kurunczi P., Erokhin Y., Liu Q., Lv H., Li Y., Long S., Liu S., Liu M. // AIP Conf. Proc. 2012. V. 1496. P. 26--29. DOI: 10.1063/1.4766481
  16. Филатов Д.О., Карзанов В.В., Антонов И.Н., Горшков О.Н. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 24. С. 88--93. DOI: 10.21883/PJTF.2018.24.47035.17531
  17. Chen Y.Y., Roelofs R., Redolfi A., Degraeve R., Crotti D., Fantini A., Clima S., Govoreanu B., Komura M., Goux L., Zhang L., Belmonte A., Xie Q., Maes J., Pourtois G., Jurczak M. Tailoring switching and endurance/retention reliability characteristics of HfO2/Hf RRAM with Ti, Al, Si dopants // 2014 Symp. on VLSI technology: digest of technical papers (Honolulu, USA). IEEE, 2014. P. 1--2. DOI: 10.1109/vlsit.2014.6894403
  18. Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония. Канд. дис. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. 122 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.