"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785019070149
Российский научный фонд, Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 18-79-10088
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Госзадание, 8.1751.2017/ПЧ
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-2450.2018.5
Ведь М.В.1, Дорохин М.В.1, Лесников B.П.1, Павлов Д.А.1, Усов Ю.В.1, Кудрин А.В.1, Дёмина П.Б.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mikhail28ved@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с инжектором из разбавленного магнитного полупроводника (In,Fe)Sb. Выполнен анализ вольт-амперных характеристик структур (In,Fe)Sb/n-GaAs и (In,Fe)Sb/p-GaAs. Построены зонные диаграммы гетеропереходов. Показано, что исследованные структуры по механизму токопереноса аналогичны структурам с барьером Шоттки. Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, диодные структуры, гетеронаноструктуры A3B5, спиновая инжекция.
  1. Holub M., Bhattacharya P. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. R179-R203
  2. Jungwirth T., Sinova J., Masek J., Kucera J., MacDonald A.H. // Rev. Mod. Phys. 2006. V. 78. P. 809-864
  3. Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P.,  Dorokhin M.V., Vikhrova O.V.,  Pavlov D.A.,  Usov Yu.V.,  Antonov I.N.,  Kriukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. P. 183901
  4. arXiv:1810.13271
  5. Hinkley E.D., Rediker R.H. // Solid-State Electron. 1967. V. 10. P. 671-687
  6. Chyi J.-I., Mui D., Chen J., Morkoc H. // Solid-State Electron. 1991. V. 34. P. 747-750
  7. Зи C. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 c

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.