"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительность оптических сенсоров на основе дихалькогенидов переходных металлов: влияние толщины на их спектральные характеристики
Переводная версия: 10.1134/S106378501906018X
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 18-32-00831
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а_вед, 18-32-20047
Министерство образования и науки РФ , Государственное задание , 3.7335.2017/9.10
Авдижиян А.Ю. 1, Лавров С.Д. 1, Кудрявцев А.В. 1, Шестакова А.П. 1, Васина М.В.1
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: artur-333@yandex.ru, sdlavrov@mail.ru, oldousavk@yandex.ru, nastik_shestakova@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.

Изготовлены образцы полевых транзисторов на основе твердых растворов дихалькогенидов переходных металлов. Методом фототоковой спектроскопии исследованы их спектральные характеристики. Представлены результаты теоретической оценки общего оптического поглощения двумерных полупроводников при различных толщинах образца и для разных длин волн оптического излучения с учетом многолучевой интерференции. Показано, что интерференционные эффекты вносят значительный вклад в изменение формы спектральных характеристик оптических сенсоров при изменении толщины фоточувствительного слоя дихалькогенидов переходных металлов. Ключевые слова: двумерные полупроводники, спектроскопия, дихалькогениды переходных металлов, линейная оптика.
  1. Mann J., Ma Q., Odenthal P.M., Isarraraz M., Le D., Preciado E., Barroso D., Yamaguchi K., von Son Palacio G., Nguyen A., Tran T., Wurch M., Nguyen A., Klee V., Bobek S., Sun D., Heinz T.F., Rahman T.S., Kawakami R., Bartels L. // Adv. Mater. 2014. V. 26. N 9. P. 1399--1404
  2. Yao J., Zheng Z., Yang G. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2016. V. 8. N 20. P. 12915--12924
  3. Butun S., Tongay S., Aydin K. // Nano Lett. 2015. V. 15. N 4. P. 2700--2704
  4. Лавров С.Д., Шестакова А.П., Мишина Е.Д., Ефименков Ю.Р., Сигов А.С. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 6. С. 625--629
  5. Huo N., Yang S., Wei Z., Li S.-S., Xia J.-B., Li J. // Sci. Rep. 2015. V. 4. N 1. P. 5209
  6. Лавров С.Д., Шестакова А.П., Авдижиян А.Ю., Мишина Е.Д. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 22. С. 19--24
  7. Брехов К.А., Гришунин К.А., Ильин Н.А., Шестакова А.П., Лавров С.Д., Мишина Е.Д. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 24. С. 46--52
  8. Huang J., Wang W., Fu Q., Yang L., Zhang K., Zhang J., Xiang B. // Nanotechnology. 2016. V. 27. N 13. P. 13LT01
  9. Roldan R., Castellanos-Gomez A., Cappelluti E., Guinea F. // J. Phys.: Condens. Matter. 2015. V. 27. N 31. P. 313201
  10. Klots A.R., Newaz A.K.M., Wang B., Prasai D., Krzyzanowska H., Lin J., Caudel D., Ghimire N.J., Yan J., Ivanov B.L., Velizhanin K.A., Burger A., Mandrus D.G., Tolk N.H., Pantelides S.T., Bolotin K.I. // Sci. Rep. 2015. V. 4. N 1. P. 6608
  11. Yim C., O'Brien M., McEvoy N., Winters S., Mirza I., Lunney J.G., Duesberg G.S. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. N 10. P. 103114
  12. Cui Q., Ceballos F., Kumar N., Zhao H. // ACS Nano. 2014. V. 8. N 3. P. 2970--2976
  13. Molina-Sanchez A., Hummer K., Wirtz L. // Surf. Sci. Rep. 2015. V. 70. N 4. P. 554--586
  14. Plechinger G., Mann J., Preciado E., Barroso D., Nguyen A., Eroms J., Schuller C., Bartels L., Korn T. // Semicond. Sci. Technol. 2014. V. 29. N 6. P. 064008
  15. Amani M., Burke R.A., Ji X., Zhao P., Lien D.-H., Taheri P., Ahn G.H., Kirya D., Ager J.W., Yablonovitch E., Kong J., Dubey M., Javey A. // ACS Nano. 2016. V. 10. N 7. P. 6535--6541.
  16. Лавров С.Д. // Рос. технол. журн. 2016. Т. 4. N 4. С. 3--12
  17. Blake P., Hill E.W., Castro Neto A.H., Novoselov K.S., Jiang D., Yang R., Booth T.J., Geim A.K. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. N 6. P. 063124

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.