Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 3
>>>
Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(1011) на подложке Si(100)
DOI: 10.21883/PJTF.2019.11.47813.17756
Переводная версия: 10.1134/S106378501906004X
Бессолов В.Н.1, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В.1, Пантелеев В.Н.1, Родин С.Н.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bes.triat@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2019 г.
PDF версия
Экспериментально продемонстрированы два разных подхода при эпитаксии слоев толщиной 4 μm полярного GaN(0001) или полуполярного GaN(1011) на V-образной наноструктурированной подложке Si(100) с нанометровыми буферными слоями SiC и AlN. Слои GaN(0001) были синтезированы методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии, а GaN(1011) - методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с последующим доращиванием путем хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Показано, что слои полярного GaN(0002) имеют величину продольных упругих напряжений -0.45 GPa и минимальную полуширину кривой качания рентгеновской дифракции omegatheta~ 45 arcmin, а для полуполярного GaN(1011) эти величины составляют -0.29 GPa и omegatheta~ 22 arcmin соответственно. Сделан вывод о перспективности комбинированной технологии полуполярного нитрида галлия на подложке кремния ориентации (100). Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, комбинационное рассеяние света, газофазная эпитаксия.
  1. Lin Q., Wu H., Jia G. // Circuits and Systems. 2018. V. 9. P. 9--21
  2. Cui Z. Nanofabrication: principles, capabilities and limits. 2nd ed. Springer, 2017. 432 p
  3. Chung J.W., Ryu K., Lu B., Palacios T. // Proc. European Solid-State Device Research Conf. (ESSDERC). Sevilla, Spain, 2010. P. 52--56
  4. Бессолов В.Н., Гущина Е.В., Коненкова Е.В., Коненков С.Д., Львова Т.В., Пантелеев В.Н., Щеглов М.П. // ЖТФ. 2019. Т. 89. В. 4. С. 574--577
  5. Joblot S., Semond F., Natali F., Vennegues P., Laugt M., Cordier Y., Massies J. // Phys. Status Solidi C. 2005. V. 2. P. 2187--2190
  6. Bessolov V., Kalmykov A., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Poletaev N., Rodin S. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 202--206
  7. Wang W., Wang H., Yang W., Zhu Y., Li G. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 1--11
  8. Huang C.C., Chang S.J., Kuo C.H., Wu C.H., Ko C.H., Wann Cl.H., Cheng Y.C., Lin W.J. // J. Electrochem. Soc. 2011. V. 158. P. H626--H629
  9. Smirnov V.K., Kibalov D.S., Orlov O.M., Graboshnikov V.V. // Nanotechnology. 2003. V. 14. P. 709--715
  10. Bessolov V., Zubkova A., Konenkova E., Konenkov S., Kukushkin S., Orlova T., Rodin S., Rubets V., Kibalov D., Smirnov V. // Phys. Status Solidi B. 2019. V. 256. P. 1800268
  11. Аксянов И.Г., Компан М.Е., Кулькова И.В. // ФТТ. 2010. Т. 52. В. 9. С. 1724--1728
  12. Bessolov V., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E., Kukushkin S., Myasoedov A., Osipov A., Panteleev V. // Microelectron. Eng. 2017. V. 178. P. 34--37
  13. Freitas J.A., Culbertson J.C., Mastro M.A., Kumagai Y., Koukitu A. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 350. P. 33--37.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme