Вышедшие номера
Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
Переводная версия: 10.1134/S1063785019040205
Министерство науки и высшего образования РФ , Федеральная целевая программа ”Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014−2020 годы“, RFMEFI57816X0204
Бабичев А.В. 1, Гладышев А.Г.2, Курочкин А.С.1, Дюделев В.В.3, Колодезный Е.С.1, Соколовский Г.С.3, Бугров В.Е.1, Карачинский Л.Я.1,2,3, Новиков И.И.1,2,3, Денисов Д.В.4, Ионов А.С.5, Слипченко С.О.3, Лютецкий А.В.3, Пихтин Н.А.3, Егоров А.Ю.1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Продемонстрирована одночастотная лазерная генерация при комнатной температуре в квантово-каскадных лазерах с арочной геометрией резонатора. Выходная оптическая мощность на длине волны вблизи 7.7 μm составила более 6 mW в одночастотном режиме с коэффициентом подавления боковых мод до 25 dB. Гетероструктура квантово-каскадного лазера, из которой были изготовлены арочные лазеры, реализована методом молекулярно-пучковой эпитаксии на основе гетеропары твердых растворов In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As, согласованных по параметру кристаллической решетки с подложкой InP, и слоев фосфида индия, которые выполняли функцию обкладок волновода.