"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8o
Переводная версия: 10.1134/S1063785019030039
Бенеманская Г.В.1,2, Дементьев П.А.1, Кукушкин С.А.2,3,4, Осипов А.В.3, Тимошнев С.Н.2,5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Впервые исследованы электронные свойства наноинтерфейса Ва/SiC/Si(111)-8o методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при субмонослойных покрытиях Ва на образцах SiC/Si(111)-8o, выращенных методом замещения атомов. Обнаружено, что адсорбция Ва вызывает сильные изменения в спектре остовного уровня C 1s. Показано, что эффект обусловлен образованием новой, ранее неизвестной углеродной наноструктуры. Установлено, что наноструктура образуется исключительно на вицинальных поверхностях SiC в присутствии стабилизирующих адсорбированных атомов металла Ba и состоит из углеродных колец, в которых химические связи близки по природе к связям, присущим ароматическим соединениям.
  1. Eddy C.R., Jr., Gaskill D.K. // Science. 2009. V. 324. N 5933. P. 1398--1400. DOI: 10.1126/science.1168704
  2. Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188--1195
  3. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. N 2. P. 024909. DOI: 10.1063/1.4773343
  4. Wang J., Zhang L., Zeng Q., Vignoles G.L., Cheng L., Guette A. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. N 12. P. 125304. DOI: 10.1103/PhysRevB.79.125304
  5. Bosi M., Attolini G., Negri M., Frigeri C., Buffagni E., Ferrari C., Rimoldi T., Cristofolini L., Aversa L., Tatti R., Verucchi R. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 383. P. 84--94. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.08.005
  6. Watcharinyanon S., Virojanadara C., Johansson L.I. // Surf. Sci. 2011. V. 605. N 21-22. P. 1918--1922. DOI: 10.1016/j.susc.2011.07.007
  7. Watcharinyanon S., Johansson L.I., Xia C., Virojanadara C. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. N 8. P. 083711. DOI: 10.1063/1.4704396
  8. King S.W., Nemanich R.J., Davis R.F. // Phys. Status Solidi B. 2015. V. 252. N 2. P. 391--396. DOI: 10.1002/pssb.201451340
  9. Kukushkin S.А., Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Timoshnev S.N., Senkovskiy B. // J. Phys. Chem. Solids. 2016. V. 90. P. 40--44. DOI: 10.1016/j.jpcs.2015.10.018
  10. Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Лапушкин М.Н., Осипов А.В., Тимошнев С.Н. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 23. С. 51--57. DOI: 10.21883/pjtf.2016.23.43982.16389
  11. Virojanadara C., Hetzel M., Johansson L.I., Choyke W.J., Starke U. // Surf. Sci. 2008. V. 602. N 2. P. 525--533. DOI: 10.1016/j.susc.2007.11.012
  12. Kang C., Tang J., Li L., Pan H., Xu P., Wei S., Chen X., Xu X. // Appl. Surf. Sci. 2012. V. 258. N 6. P. 2187--2191. DOI: 10.1016/j.apsusc.2011.02.068
  13. Takahashi R., Handa H., Shunsuke A., Imaizumi K., Fukidome H., Yoshigoe A., Teraoka Y., Suemitsu M. // Jpn. J. Appl. Phys. 2011. V. 50. N 7R. P. 070103. DOI: 10.1143/JJAP.50.070103
  14. Biedermann L.B., Bolen M.L., Capano M.A., Zemlyanov D., Reifenberger R.G. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. N 12. P. 125411. DOI: 10.1103/PhysRevB.79.125411

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.