Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/n-InAlAs (001)
Чистохин И.Б.1, Аксенов М.С.1,2, Валишева Н.А.1, Дмитриев Д.В.1, Марчишин И.В.1, Торопов А.И.1, Журавлев К.С.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: m.se.aksenov@gmail.com
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Изучено влияние ростовых структурных дефектов поверхности слоев InAlAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP (001), на температурные зависимости вольт-амперных характеристик барьеров Шоттки Au/Ti/InAlAs. Показано, что дефекты в виде ямок являются причиной возникновения областей с пониженной высотой барьера, которые при плотности ≥107 cm-2 оказывают существенное влияние на параметры барьера Шоттки при температурах ниже 200 K.
- Rhoderick E.H., Williams R.H. // Metal-semiconductor contacts. Oxford: Clarendon Press, 1988. 252 p
- Tung R.T. // Mater. Sci. Eng. R. 2001. V. 35. P. 1--138. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(01)00037-7
- Chizh A., Malyshev S., Mikitchuk K. High-speed high-power InAlAs/InGaAs/InP Schottky photodiode // 2015 Int. Topical Meeting on microwave photonics (MWP). IEEE, 2015. P. 1--4
- Takahashi T., Kawano Y., Makiyama K., Shiba S., Sato M., Nakasha Y., Hara N. // IEEE Trans. Electron. Dev. 2017. V. 64. P. 89--95. DOI: 10.1109/TED.2016.2624899
- Omar S., Sudarshan T., Rana T., Song H., Chandrashekhar M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2014. V. 47. P. 295102. DOI: 10.1088/0022-3727/47/29/295102
- Tung R.T. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. P. 13509--13523. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.45.13509
- Olbrich A., Vancea J., Kreupl F., Hoffmann H. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. P. 358--365. https://doi.org/10.1063/1.366691
- Chistokhin I.B., Aksenov M.S., Valisheva N.A., Dmitriev D.V., Kovchavtsev A.P., Gutakovskii A.K., Prosvirin I.P., Zhuravlev K.S. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2018. V. 74. P. 193--198. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2017.10.014
- Hamdaoui N., Ajjel R., Salem B., Gendry M. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2014. V. 26. P. 431--437. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2014.05.043
- Korucu D., Turut A. // Int. J. Electron. 2014. V. 101. P. 1595--1606. https://doi.org/10.1080/00207217.2014.888774
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
