Вышедшие номера
Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785019020238
НИЦ ”Курчатовский институт", приказ от 23.08.2017 г. № 1383
Андреев А.А.1, Грищенко Ю.В. 1, Езубченко И.C.1, Черных М.Я. 1, Колобкова Е.М. 1, Майборода И.О. 1, Черных И.А. 1, Занавескин М.Л. 1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: andreev_aa@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 22 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии выращены нитридные гетероструктуры на подложках сапфира и кремния. На их основе созданы транзисторы с периферией 1.2 mm. Транзисторы на подложках обоих типов демонстрируют схожие высокие статические характеристики: ток насыщения более 0.75 A/mm, крутизна более 300 mS/mm, напряжение пробоя выше 120 V. Измерения малосигнальных параметров свидетельствуют о большей величине усиления транзисторов на подложках кремния в диапазоне до 5 GHz. Удельная мощность на частоте 1 GHz составляет для транзисторов на подложке сапфира 5 W/mm, на подложке кремния - 2 W/mm.