Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785019020238 
НИЦ ”Курчатовский институт", приказ от 23.08.2017 г. № 1383
Андреев А.А.1, Грищенко Ю.В.
1, Езубченко И.C.1, Черных М.Я.
1, Колобкова Е.М.
1, Майборода И.О.
1, Черных И.А.
1, Занавескин М.Л.
1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
Email: andreev_aa@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 22 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии выращены нитридные гетероструктуры на подложках сапфира и кремния. На их основе созданы транзисторы с периферией 1.2 mm. Транзисторы на подложках обоих типов демонстрируют схожие высокие статические характеристики: ток насыщения более 0.75 A/mm, крутизна более 300 mS/mm, напряжение пробоя выше 120 V. Измерения малосигнальных параметров свидетельствуют о большей величине усиления транзисторов на подложках кремния в диапазоне до 5 GHz. Удельная мощность на частоте 1 GHz составляет для транзисторов на подложке сапфира 5 W/mm, на подложке кремния - 2 W/mm.
- Ganguly S., Song B., Hwang W.S., Hu Z., Zhu M., Verma J., Xing H., Jena D. // Phys. Status Solidi C. 2014. V. 11. N 3--4. P. 887--889
- Eblabla A., Li X., Thayne I., Wallis D.J., Guiney I., Elgaid K. // IEEE Electron Dev. Lett. 2015. V. 36. N 9. P. 899--901
- Алексеев А.Н., Александров С.Б., Бырназ А.Э., Великовский Л.Э., Великовский И.Э., Красовицкий Д.М., Павленко М.В., Петров С.И., Погорельский М.Ю., Погорельский Ю.В., Соколов И.А., Соколов М.А., Степанов М.В., Ткаченко А.Г., Шкурко А.П., Чалый В.П. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 7. С. 58--64
- Арендаренко А.А., Орешкин В.А., Свешников Ю.Н., Цыпленков И.Н. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18. N 1. C. 5--15
- Lev L.L., Maiboroda I.O., Husanu M.A., Grichuk E.S., Chumakov N.K., Ezubchenko I.S., Chernykh I.A., Wang X., Tobler B., Schmitt T., Zanaveskin M.L., Valeyev V.G., Strocov V.N. // Nature Commun. 2018. V. 9. P. 2653 (1--9)
- LeLouarn A., Vezian S., Semond F., Massies J. // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. P. 3278--3284
- Майборода И.О., Андреев А.А., Перминов П.А., Федоров Ю.В., Занавескин М.Л. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 11. С. 80--86
- Marino F.A, Faralli N., Palacios T., Ferry D.K., Goodnick S.M., Saraniti M. // IEEE Transact. Electron Dev. 2010. V. 57. N 1. P. 353--360
- Chen C.H., Sadler R., Wang D., Hou D., Yang Y., Yau W., Sutton W., Shim J., Wang S., Duong A. // Solid-State Electron. 2016. V. 126. P. 115--124
- Yacoub H., Fahle D., Finken M., Hahn H., Blumberg C., Prost W., Kalisch H., Heuken M., Vescan A. // Semicond. Sci. Technol. 2014. V. 29. N 11. P. 115012 (1--6)
- Rajagopal P., Roberts J.C., Cook J.W., Jr., Brown J.D., Piner E.L., Linthicum K.J. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2004. V. 798. P. Y7.2 (1--6)
- Chandrasekar H., Bhat K.N., Rangarajan M., Raghavan S., Bhat N. // Sci. Rep. 2017. V. 7. P. 15749 (1--10)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
