Представлены результаты исследований полупроводниковых фотопреобразователей лазерного излучения на основе AlGaAs/GaAs при величине облученности до 9 kW/cm² с сохранением изотермического состояния тестируемых образцов. Это подтверждается логарифмическим ходом регистрируемых зависимостей напряжения холостого хода от плотности мощности подводимого излучения. При максимальной облученности достигнуты значения напряжения холостого хода, близкие к 1.33 V. Показана возможность преобразования лазерного излучения (длина волны 840 nm) с КПД более 51% при плотности мощности 2.5 kW/cm².

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.