Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 2 » Статья стр. 14
<<<>>>
Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции
DOI: 10.21883/PJTF.2019.02.47215.17520
Переводная версия: 10.1134/S1063785019010346
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-08-00524_а
Стецюра С.В. 1, Козловский А.В. 1, Митин Д.М. 2,3, Сердобинцев А.А. 1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: stetsyurasv@mail.ru, kozlowsky@bk.ru, mitindm@mail.ru, alexas80@bk.ru
Поступила в редакцию: 10 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
PDF версия
Изучена фотостимулированная адсорбция глюкозооксидазы (GOx) на пластины монокристаллического Si с покрытием из аморфного Si (a-Si). Оценка разности заполнения поверхности молекулами GOx при фотостимулированной адсорбции и темновой адсорбции позволила установить, что этот показатель увеличивается для структур, содержащих слой a-Si, в 2.5 раза при использовании n-Si и в 1.5 раза в случае p-Si. Показано, что в структуре n-Si/a-Si возможна реализация метода предварительной фотостимуляции процесса адсорбции GOx.
  1. Стецюра С.В., Козловский А.В., Маляр И.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 4. С. 24--32
  2. Malyar I.V., Gorin D.A., Santer S., Stetsyura S.V. // Langmuir. 2013. V. 29. N 52. Р. 16058--16065. DOI: 10.1021/1a403838n
  3. Стецюра С.В., Козловский А.В. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 6. С. 15--22. DOI: 10.21883/PJTF.2017.06.44399.16510
  4. Yoshinobu T., Schoning M.J., Finger F., Moritz W., Iwasaki H. // Sensors. 2004. V. 4. N 10. Р. 163--169. DOI: 10.3390/s41000163
  5. Давыдов С.Ю., Трошин С.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1206--1210
  6. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986. 435 с
  7. Janotta A., Janssen R., Schmidt M., Graf T., Stutzmann M., Gorgens L., Bergmaier A., Dollinger G., Hammerl C., Schreiber S., Stritzker B. // Phys. Rev. B. 2004. V. 69. N 11. Р. 115206. DOI: 10.1103/PhysRevB.69.115206
  8. Голикова О.А. // УФН. 1989. Т. 158. N 4. С. 581--604
  9. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических материалах. М.: Мир, 1982. Т. 1. 368 с
  10. Бонч-Бруевич В.Л. // УФН. 1983. Т. 140. N 4. С. 583--637
  11. Митин Д.М., Сердобинцев А.А. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 17. С. 78--85. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44950.16804
  12. Митин Д.М., Александров В.А., Скапцов А.А., Вениг С.Б., Сердобинцев А.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. N 6. С. 1--4
  13. Ohmi T. // Semicond. Int. 1996. V. 19. N 8. P. 2957--2964
  14. Стрит Р., Бигельсен Д. Спектроскопия локализованных состояний // Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1988. Т. 2. 247 с
  15. Карпушинa А.А., Сорокинa А.Н., Гриценко В.А. // Письма в ЖЭТФ. 2016. Т. 103. В. 3. С. 189--193. DOI: 10.7868/S0370274X16030061
  16. Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Orlov O.M., Krasnikov G.Ya. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. N 6. P. 062904. DOI: 10.1063/1.4959830
  17. Звягин И.П. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 11. С. 1857--1862
  18. Звягин И.П., Курова И.А., Ормонт Н.Н. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 10. С. 1707--1712.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme