Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 1 » Статья стр. 12
<<<>>>
Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей
DOI: 10.21883/PJTF.2019.01.47148.17544r
Переводная версия: 10.1134/S1063785019010140
Малевская А.В.1, Хвостиков В.П.1, Солдатенков Ф.Ю.1, Хвостикова О.А.1, Власов А.С.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
PDF версия
Проведены исследования и разработана технология изготовления омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей на основе AlGaAs/GaAs. Исследовано влияние уровня легирования контактного слоя на величину концентрации свободных носителей и значение контактного переходного сопротивления. Проведено исследование технологии создания омических контактов толщиной 2-4 mum с использованием метода электрохимического осаждения слоев золота. Выявлено влияние режимов осаждения на морфологию поверхности омических контактов, монолитность структуры контактов и их электрическую проводимость.
  1. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.М. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 11. С. 1281--1308. DOI: 10.1134/S1063782607110012
  2. Kim T.J., Holloway P.H. // Critic. Rev. Solid State Mater. Sci. 1997. V. 22. P. 239--273. DOI: 10.1080/10408439708241262
  3. Cotal H., Fetzer Ch., Boisvert J., Kinsey G., King R., Hebert P., Yoon H., Karam N. // Energy Environ. Sci. 2009. V. 2. P. 174--192. DOI: 10.1039/B809257E
  4. Szerling A., Karbownik P., Laszcz A., Kosiel K., Bugajski M. // Vacuum. 2008. V. 82. P. 977--981. DOI: 10.1016/j.vacuum.2008.01.006
  5. Kurochka S.P., Stepushkin M.V., Borisov V.I. // Rus. Microelectronics. 2017. V. 46. N 8. P. 600--607. DOI: 10.1134/S106373971708011X
  6. Малевская А.В., Калиновский В.С., Ильинская Н.Д., Малевский Д.А., Контрош Е.В., Шварц М.З., Андреев В.М. // ЖТФ. 2018. Т. 88. В. 8. С. 1211--1215. DOI: 10.21883/PJTF.2018.08.46311.2591
  7. Андреев В.М., Ильинская Н.Д., Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Малевская А.В., Минтаиров С.А. Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей. Патент N 2368038. Заявка 07.12.2007. Опубл. 20.09.2009. Бюл. N 26.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme