Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей
Переводная версия: 10.1134/S1063785019010140 
Малевская А.В.1, Хвостиков В.П.1, Солдатенков Ф.Ю.1, Хвостикова О.А.1, Власов А.С.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
Проведены исследования и разработана технология изготовления омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей на основе AlGaAs/GaAs. Исследовано влияние уровня легирования контактного слоя на величину концентрации свободных носителей и значение контактного переходного сопротивления. Проведено исследование технологии создания омических контактов толщиной 2-4 mum с использованием метода электрохимического осаждения слоев золота. Выявлено влияние режимов осаждения на морфологию поверхности омических контактов, монолитность структуры контактов и их электрическую проводимость.
- Бланк Т.В., Гольдберг Ю.М. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 11. С. 1281--1308. DOI: 10.1134/S1063782607110012
- Kim T.J., Holloway P.H. // Critic. Rev. Solid State Mater. Sci. 1997. V. 22. P. 239--273. DOI: 10.1080/10408439708241262
- Cotal H., Fetzer Ch., Boisvert J., Kinsey G., King R., Hebert P., Yoon H., Karam N. // Energy Environ. Sci. 2009. V. 2. P. 174--192. DOI: 10.1039/B809257E
- Szerling A., Karbownik P., Laszcz A., Kosiel K., Bugajski M. // Vacuum. 2008. V. 82. P. 977--981. DOI: 10.1016/j.vacuum.2008.01.006
- Kurochka S.P., Stepushkin M.V., Borisov V.I. // Rus. Microelectronics. 2017. V. 46. N 8. P. 600--607. DOI: 10.1134/S106373971708011X
- Малевская А.В., Калиновский В.С., Ильинская Н.Д., Малевский Д.А., Контрош Е.В., Шварц М.З., Андреев В.М. // ЖТФ. 2018. Т. 88. В. 8. С. 1211--1215. DOI: 10.21883/PJTF.2018.08.46311.2591
- Андреев В.М., Ильинская Н.Д., Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Малевская А.В., Минтаиров С.А. Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей. Патент N 2368038. Заявка 07.12.2007. Опубл. 20.09.2009. Бюл. N 26.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
