"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Экспериментальное обнаружение резонансного туннелирования в легированной структуре с одиночной квантовой ямой методом адмиттансной спектроскопии
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120453
Иванова Я.В.1, Зубков В.И. 1, Соломонов А.В. 1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: ivanova@unix-server.su, vzubkovspb@mai.ru, Alexander.V.Solomonov@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Проведены адмиттансные измерения серии гетероструктур с прецизионно выращенными методом MOCVD квантовыми ямами (КЯ) InxGa1-xAs/GaAs (0.19≤ x≤0.3). Впервые методом адмиттансной спектроскопии зарегистрировано наличие резонансно-туннельной эмиссии как определяющего механизма формирования высокочастотной проводимости легированных гетероструктур с КЯ, проведено разделение туннельного и резонансно-туннельного вкладов и проанализировано влияние туннельной составляющей на общий темп эмиссии носителей из КЯ. Выполнено самосогласованное моделирование вольт-фарадных характеристик структур, а также расчет коэффициента прозрачности системы, формируемой потенциалом Хартри в окрестности КЯ. Экспериментально и путем численных расчетов показано, что вероятность резонансно-туннельной эмиссии падает с ростом обратного смещения из-за нарушения симметричности барьеров.
  1. Chang L.L., Esaki L., Tsu R. // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 24. P. 593--595
  2. Esaki L., Chang L.L. // Phys. Rev. Lett. 1974. V. 33. P. 495--498
  3. Sollner T.C.L.G., Goodhue W.D., Tannenwald P.E., Parker C.D., Peck D.D. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43. P. 588--590
  4. Бочкарева Н.И., Вороненков В.В., Горбунов Р.И., Зубрилов А.С., Леликов Ю.С., Латышев Ф.Е., Ребане Ю.Т., Цюк А.И., Шретер Ю.Г. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 6. C. 822--828
  5. Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Романов Ю.А., Рубцова Р.А. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 3. C. 537--541
  6. Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И., Ноздрин Ю.Н. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 1. C. 65--67
  7. Zhu Q.S., Mou S.M., Zhou X.C., Zhong Z.T. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. N 22. P. 2813--2814
  8. Letartre X., Stievenard D., Lannoo M., Lippens D. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. N 1. P. 116--119
  9. Кучерова О.В., Зубков В.И., Соломонов А.В., Давыдов Д.В. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 3. C. 352--357
  10. Zubkov V.I., Melnik M.A., Solomonov A.V., Tsvelev E.O., Bugge F., Weyers M., Trankle G. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. N 7. P. 75312
  11. Зубков В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса. СПб.: Элмор, 2007. 220 с
  12. Зубков В.И. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 3. C. 331--337
  13. Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum dot heterostructures. John Wiley \& Sons, 1999. 333 p
  14. Ким Ч.С., Сатанин А.М., Штенберг В.Б. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 5. C. 569--575
  15. Kapteyn C.M.A. Carrier emission and electronic properties of self-organized semiconductor quantum dots. Dissertation. Berlin: Mensch \& BuchVerlag, 2001. 156 p
  16. Schmalz K., Rucker H., Yassievich I.N., Grimmeiss H.G. // Solid-State Electron. 1994. V. 37. P. 945--948
  17. Сатанин А.М. Динамика электронов в наноструктурах. Н. Новгород: ННГУ, 2006. 96 с
  18. Иванова Я.В., Зубков В.И. // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2018. N 5. C. 5--10

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.