Электронная почта: tpl@journals.ioffe.ru
"Письма в журнал технической физики"
Авторам
Вышедшие номера
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120593 
Васильев В.И.
1, Гагис Г.С.
1, Левин Р.В.1, Маричев А.Е.1, Пушный Б.В.1, Щеглов М.П.1, Кучинский В.И.1,2, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.
1, Горохов А.Н.1, Попова Т.Б.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: giman@mail.ioffe.ru, galina.gagis@gmail.com, lev@vpegroup.ioffe.ru, Vladimir@kuch.ioffe.ru, dukazantsev@mail.ioffe.ru, Pushnyi@vpegroup.ioffe.ru, tb_popova@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
Для твердых растворов Ga1-xInxAsyP1-y (x = 0.86, y=0.07-0.42), полученных на InP методом газфазной эпитаксии из металлоорганических соединений при пониженном давлении, выявлено плавное изменение содержания компонентов пятой группы y по толщине эпитаксиального слоя (600-850 nm) на величину Delta y до 0.08, хотя состав газовой смеси, температура и давление в процессе роста поддерживались неизменными. Для разных составов газовой смеси величина Delta y и характер ее изменения были различными. Анализ полученных данных позволяет сделать вывод, что величина Delta y связана с деформациями, возникающими в растущем слое за счет рассогласования с подложкой.
- Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5815--5875
- Razeghi M. MOCVD challenge. Survey of GaInAsP-InP \& GaInAsP--GaAs for photonic and electronic device applications. 2nd ed. Taylor and Francis/CRC Press, 2010. 773 p
- Lei P.-H. // Opt. Commun. 2007. V. 273. P. 532--537
- Holstein W.L. // J. Cryst. Growth. 1996. V. 167. P. 525--533
- Романов В.В., Байдакова М.В., Моисеев К.Д. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 6. С. 753--758
- Моисеев К.Д., Романов В.В., Кудрявцев Ю.А. // ФТТ. 2016. Т. 58. В. 11. С. 2203--2207
- Васильев В.И., Гагис Г.С., Левин Р.В., Кучинский В.И., Дерягин А.Г., Казанцев Д.Ю., Бер Б.Я. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 19. С. 78--86
- Cunningham J.E., Santos M.B., Goossen K.W., Williams M.D., Jan W. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 2418--2420
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
