Вышедшие номера
Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120593
Васильев В.И. 1, Гагис Г.С. 1, Левин Р.В.1, Маричев А.Е.1, Пушный Б.В.1, Щеглов М.П.1, Кучинский В.И.1,2, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю. 1, Горохов А.Н.1, Попова Т.Б. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: giman@mail.ioffe.ru, galina.gagis@gmail.com, lev@vpegroup.ioffe.ru, Vladimir@kuch.ioffe.ru, dukazantsev@mail.ioffe.ru, Pushnyi@vpegroup.ioffe.ru, tb_popova@mail.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Для твердых растворов Ga1-xInxAsyP1-y (x = 0.86, y=0.07-0.42), полученных на InP методом газфазной эпитаксии из металлоорганических соединений при пониженном давлении, выявлено плавное изменение содержания компонентов пятой группы y по толщине эпитаксиального слоя (600-850 nm) на величину Delta y до 0.08, хотя состав газовой смеси, температура и давление в процессе роста поддерживались неизменными. Для разных составов газовой смеси величина Delta y и характер ее изменения были различными. Анализ полученных данных позволяет сделать вывод, что величина Delta y связана с деформациями, возникающими в растущем слое за счет рассогласования с подложкой.