Вышедшие номера
Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120192
Министерство образования и науки РФ, Государственное задание, № 3.7331.2017/9.10
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-14029
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), (а) конкурс проектов фундаментальных научных исследований, 18-02-00843
Российский научный фонд (РНФ), 18-79-10195
грант Президента РФ, МК-5450.2018.2
Буряков А.М. 1, Хусяинов Д.И.1, Мишина Е.Д. 1, Хабибуллин Р.А. 2,3, Ячменев А.Э. 2,3, Пономарев Д.С. 2,3
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: Dinar1434429@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Исследовано влияние энергии фотонов возбуждения на времена релаксации фотовозбужденных носителей заряда. Проведены оценка возникающих механизмов релаксации и анализ коэффициента отражения в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs. Построена модель изменения коэффициента отражения в барьерном слое InAlAs в зависимости от энергии фотонов возбуждения. Объяснено резонансное поведение коэффициента отражения.