Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 23 » Статья стр. 146
<<<
Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs
DOI: 10.21883/PJTF.2018.23.47022.17469
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120192
Министерство образования и науки РФ, Государственное задание, № 3.7331.2017/9.10
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-14029
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), (а) конкурс проектов фундаментальных научных исследований, 18-02-00843
Российский научный фонд (РНФ), 18-79-10195
грант Президента РФ, МК-5450.2018.2
Буряков А.М. 1, Хусяинов Д.И.1, Мишина Е.Д. 1, Хабибуллин Р.А. 2,3, Ячменев А.Э. 2,3, Пономарев Д.С. 2,3
1МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: Dinar1434429@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
PDF версия
Исследовано влияние энергии фотонов возбуждения на времена релаксации фотовозбужденных носителей заряда. Проведены оценка возникающих механизмов релаксации и анализ коэффициента отражения в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs. Построена модель изменения коэффициента отражения в барьерном слое InAlAs в зависимости от энергии фотонов возбуждения. Объяснено резонансное поведение коэффициента отражения.
  1. Langlois P., Joschko M., Thoen E.R., Koontz E.M., Kartner F.X., Ippen E.P., Kolodziejski L.A. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. N 24. P. 3841-3843
  2. Dietz R.J.B., Globisch B., Roehle H., Stanze D., Gobe T., Schell M. // Opt. Express. 2014. V. 22. N 16. P. 19411-19422
  3. Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Ячменев А.Э., Павлов А.Ю., Слаповский Д.Н., Глинский И.А., Лаврухин Д.В., Рубан О.А., Мальцев П.П. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 9. С. 1257-1272
  4. Глинский И.А., Зенченко Н.В., Мальцев П.П. // Рос. технологический журнал. 2016. Т. 4. N 3. С. 27-36
  5. Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С., Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д., Климов Е.А., Васильевский И.С., Мальцев П.П. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 4. С. 529-534
  6. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 11. P. 5815-5875
  7. Хусяинов Д.И., Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А., Ячменев А.Э. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 22. С. 48-54
  8. Shah J. Ultrafast spectroscopy of semiconductors and semiconductor nanostructures. Springer Ser. in Solid-State Sciences. Berlin-Heidelberg: Springer, 1999. V. 115. 522 p
  9. Prabhu S.S., Vengurlekar A.S. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. N 12. P. 7803-7812
  10. Wells N.P., Belden P.M., Demers J.R., Lotshaw W.T. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. N 7. P. 73506
  11. Ortiz V., Nagle J., Lampin J.-F., Peronne E., Alexandrou A. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. N 4. P. 43515
  12. Khusyainov D.I., Dekeyser C., Buryakov A.M., Mishina E.D., Galiev G.B., Klimov E.A., Pushkarev S.S., Klochkov A.N. // Int. J. Mod. Phys. B. 2017. V. 31. N 27. P. 1750195 (1-9)
  13. Bennett B.R., Soref R.A., Del Alamo J.A. // IEEE J. Quantum Electron. 1990. V. 26. N 1. P. 113-122

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme