Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120301 
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопараметрические гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотопреобразователей, работающих в интервале длин волн 500-3200 nm. Использование пятикомпонентных твердых растворов AlInPSbAs в качестве активной области термофотопреобразователей позволяет повысить величину внешнего квантового выхода до 0.9 в спектральном диапазоне 520-2800 nm.
- Andreev V.M., Khvostikov V.P., Larionov V.R., Rumyantsev V.D., Sorokina S.V., Shvarts M.Z., Vasil'ev V.I., Vlasov A.S. // Conf. Record 26th IEEE PVSC. Anaheim, 1997. P. 935--939
- Ferrari C., Melino S., Pinelli M., Spina P.R., Venturini M. // Energy Procedia. 2014. V. 45. P. 160-169. DOI: 10.1016/j.egypro.2014.01.018
- Krishtopenko S.S., Ruffenach S., Gonzalez-Posada F., Boissier G., Marcinkiewicz M., Fadeev M.A., Kadykov A.M., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Consejo C., Desrat W., Jouault B., Knap W., Tournie E., Teppe F. // Phys. Rev. B. 2018. V. 97. N 24. P. 245419. DOI: 10.1103/PhysRevB.97.245419
- Jain N., Hudait M.K. // Energy Harvest. Syst. 2014. V. 1. N 3-4. P. 121--145. DOI: 10.1515/ehs-2014-0012
- Кузнецов В.В., Лунин Л.С., Ратушный В.И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений AIIIBV. Ростов н/Д: Изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 с
- Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Кузнецов В.В., Ратушный В.И., Олива Э.В., Хвостикова О.А., Шварц М.З. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 20. С. 33--37
- Krier A., Yin M., Marshall A.R.J., Krier S.E. // J. Electron. Mater. 2016. V. 45. N 6. P. 2826--2830. DOI: 10.1007/s11664-016-4373-0
- Wang P., Chen Q., Wu X., Cao C., Wang S., Gong Q. // Nanoscale Res. Lett. 2016. V. 11. P. 119. DOI: 10.1186/s11671-016-1339-3
- Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с
- Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина M.Л., Арустамян Д.А., Казакова A.E., Чеботарев C.H. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 10. С. 1426--1433. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45025.8511
- Алфимова Д.Л., Лунина М.Л., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С., Лунин Л.С., Казакова А.Е. // Неорган. материалы. 2017. Т. 53. В. 12. С. 1245--1256. DOI: 10.7868/S0002337X17120016
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
