"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах
Переводная версия: 10.1134/S1063785018110263
Российский научный фонд, Президентская программя исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 17-79-30035
Минтаиров С.А. 1, Емельянов В.М. 1, Калюжный Н.А. 1, Андреев В.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Проведено моделирование спектральных характеристик Ge-субэлемента трехпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge. Показано, что использование нуклеационного слоя GaInP, создающего мелкий диффузионный p-n-переход в Ge, позволяет повысить фотогенерированный ток Ge-субэлемента на ~ 4.5 mA/cm2 по сравнению с величиной в случае нуклеационного слоя GaAs, а оптимальная толщина этого слоя (170-180 nm) позволяет дополнительно увеличить фототок на ~ 1.5 mA/cm2. Экспериментально продемонстрировано увеличение фотогенерированного тока Ge-субэлемента солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge на 3.9 mA/cm2 при замене нуклеационного слоя GaAs на GaInP, а также дополнительный прирост на 0.9 mA/cm2 при использовании оптимальной толщины нуклеационного слоя GaInP.
  1. Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W., Dunlop E.D. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2015. V. 23. P. 1--9
  2. Henry C.H. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. P. 4494--4500
  3. King R.R., Law D.C., Fetzer C.M., Sherif R.A., Edmondson K.M., Kurtz S., Kinsey G.S., Cotal H.L., Krut D.D., Ermer J.H., Karam N.H. // Proc. of the 20th EPVSEC. Barcelona, Spain, 2005. P. 118--123
  4. King R.R., Law D.C., Edmondson K.M., Fetzer C.M., Sherif R.A., Kinsey G.S., Krut D.D., Cotal H.L., Karam N.H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 183516
  5. Guter W., Schone J., Philipps S.P., Steiner M., Siefer G., Wekkeli A., Welser E., Oliva E., Bett A.W., Dimroth F. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 223504
  6. Olson J.M., McMahon W.E. // Proc. 2nd World Conf. on PVSEC. Vienna, Austria, 1998. P. NREL/CP-520-25045
  7. Калюжный Н.А., Гудовских А.С., Евстропов В.В., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Андреев В.М. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 11. С. 1568--1576
  8. Gudovskikh A.S., Kleider J.P., Chouffot R., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Lantratov V.M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. V. 42. P. 165307
  9. Kalyuzhnyy N.A., Evstropov V.V., Lantratov V.M., Mintairov S.A., Mintairov M.A., Gudovskikh A.S., Luque A., Andreev V.M. // Int. J. Photoenergy. 2014. V. 2014. P. 836284
  10. Минтаиров С.А., Андреев В.М., Емельянов В.М., Калюжный Н.А., Тимошина Н.К., Шварц М.З., Лантратов В.М. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 8. С. 1118--1123
  11. Abeles F. // Ann. de Phys. 1950. V. 5. P. 596--640
  12. Васильев A.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые преобразователи. М.: Сов. радио, 1971. 248 с
  13. Andreev V.M., Emelyanov V.M., Kalyuzhnyy N.A., Lantratov V.M., Mintairov S.A., Shvarts M.Z., Timoshina N.K. // Proc. of the 23rd EPVSEC. Valencia, Spain, 2008. P. 375--381
  14. Takamoto T., Agui T., Kamimura K., Kaneiwa M. // Proc. WCPEC-3. Osaka, Japan, 2003. P. 3PL-C2-01

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.