Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 21 » Статья стр. 22
<<<>>>
Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии "кремний на изоляторе"
DOI: 10.21883/PJTF.2018.21.46852.17328
Переводная версия: 10.1134/S1063785018110020
Министерство инновационного развития республики Узбекистан, Фундаментальные исследования, ОТ-Ф2-67
Абдикаримов А.Э.1, Юсупов А.2, Атамуратов А.Э.1
1Ургенческий государственный университет, Ургенч, Узбекистан
2Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезмий, Ташкент, Узбекистан
Email: atabek.atamuratov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 12 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
PDF версия
Моделируется зависимость эффекта уменьшения барьера, индуцированного стоком (DIBL-эффект), от толщины скрытого оксидного слоя в плавниковом вертикальном МОП-транзисторе (FinFET), основанном на технологии "кремний на изоляторе". Рассматривались три формы плавника, поперечные сечения которых представляют собой прямоугольник, трапецию и треугольник. DIBL-эффект заметно зависит как от толщины скрытого оксидного слоя, так и от формы плавника. Наименьший DIBL-эффект проявляется при малых толщинах скрытого оксидного слоя для треугольного сечения плавника. Такое поведение DIBL-эффекта строго коррелирует с поведением паразитной емкости между затвором и истоком.
  1. Veeraraghavan S., Fossum J.G. // IEEE. Transac. Electron Dev. 1989. V. 36. N 3. P. 522--528
  2. Ferain I., Colinge C.A., Colinge J.-P. // Nature. 2011. V. 479. N 7373. P. 310--316
  3. Atamuratov A.E., Abdikarimov A.E., Khalilloev M.M., Atamuratova Z.A., Rahmanov R., Garcia-Loureiro A., Yusupov A. // Nanosystems: physics, chemistry, mathematics. 2017. V. 8. N 1. P. 71--74
  4. Wang M.-C., Huang W.-Y., Lin J.-H., Tuan F.-Y., Liao Y.-T., Lan W.-H. // 6th Int. Symp. on next generation electronics. Keelung, Taiwan, 2017. P. 56--58
  5. Shukla S., Gill S.S., Kaur N., Jatana H.S., Nehru V. // Active and passive electronic components. 2017. V. 2017. P. 5947819 (1--8)
  6. Kaur N., Rattan M., Gill S.S. // IEEE Int. Conf. on recent trends in electronics, information and communication technology (RTEICT). Bengaluru, India, 2016. P. 1787--1791
  7. Mehrad M., Zareiee M. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2016. V. 5. N 7. P. M74--M77
  8. Karimi F., Orouji A.A. // Physica E. 2015. V. 74. P. 65--70
  9. Seoane N., Indalecio G., Nagy D., Kalna K., Garcia-Loureiro A.J. // IEEE Transact. Electron Dev. 2018. V. 65. N 2. P. 456--462
  10. Abdikarimov A.E., Indalecio A.G., Comesana E., Seoane N., Kalna K., Garcia-Loureiro A.J., Atamuratov A.E. // 17th Int. Workshop on computational electronics. Paris, France, 2014. P. 247--248; http://www.iwce.org/iwce/browse/ iwce-17/abstracts.html
  11. http://www.synopsys.com
  12. Garcia-Loureiro A.J., Seoane N., Aldegunde M., Valin R., Asenov A., Martinez A., Kalna K. // IEEE Transact. Computer-Aided Design Integrated Circuits Syst. 2011. V. 30. N 6. P. 841--851
  13. Asenov A., Brown A., Watling J. // Solid-State Electron. 2003. V. 47. N 7. P. 1141--1145
  14. Falco C., Gatti E., Lacaita A., Sacco R. // J. Comput. Phys. 2005. V. 204. N 4. P. 533--561.
  15. Basker V.S., Standaert T., Kawasaki H., Yeh C.-C., Maitra K., Yamashita T., Faltermeier J., Adhikari H., Jagannathan H., Wang J., Sunamura H., Kanakasabapathy S., Schmitz S., Cummings J., Inada A., Lin C.-H., Kulkarni P., Zhu Y., Kuss J., Yamamoto T., Kumar A., Wahl J., Yagishita A., Edge L.F., Kim R.H., Mclellan E., Holmes S.J., Johnson R.C., Levin T., Demarest J., Hane M., Takayanagi M., Colburn M., Paruchuri V.K., Miller R.J., Bu H., Doris B., McHerron D., Leobandung E., O'Neill J. // Symp. on VLSI technology. Digest of technical papers. IEEE, 2010. P. 19--20
  16. Fasarakis N., Karatsori T., Tsormpatzoglou A., Tassis D., Papathanasiou K., Bucher M., Ghibaudo G., Dimitriadis C. // IEEE Transact. Electron Dev. 2014. V. 61. N 2. P. 324--332
  17. Gaynor B., Hassoun S. // IEEE Transact. Electron Dev. 2014. V. 61. N 8. P. 2738--2744
  18. Gaurav A., Gill S., Kaur N. // 12th IEEE Indicon Int. Conf. New Delhi, India, 2015.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme