"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Эффект увлечения в нанокомпозитной пленке Ag/Pd: генерация двуполярных импульсов
Переводная версия: 10.1134/S1063785018090250
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а, 18-32-00224
Финская академия наук, 309672
Михеев Г.М. 1, Саушин А.С. 1, Стяпшин В.М. 1, Свирко Ю.П. 2
1Институт механики, Удмуртский федеральный исследовательский центр, Уральское отделение РАН, Ижевск, Россия
2Институт фотоники, Университет Восточной Финляндии, Йоэнсуу, Финляндия
Email: mikheev@udman.ru, alex@udman.ru, vms@udman.ru, yuri.svirko@uef.fi
Поступила в редакцию: 12 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Впервые исследованы особенности генерации продольного фототока в нанокомпозитных пленках Ag/Pd при наклонном падении импульсного лазерного излучения наносекундной длительности в области длин волн 1350-4000 nm. Пленки толщиной 20 mum, состоящие из нанокристаллитов твердого раствора Ag-Pd и оксида палладия PdO, получены по толстопленочной технологии. Исследовано влияние длины волны на импульсы фототока при p- и s-поляризациях лазерной накачки. Показано, что импульс фототока при s-поляризованной накачке в диапазоне длин волн 1350-4000 nm является однополярным, а при p-поляризации в зависимости от длины волны он может быть однополярным и двуполярным. Полученные результаты объясняются одновременной генерацией фототока за счет эффекта увлечения и поверхностного фотогальванического эффекта.
  1. Данишевский А.М., Кастальский А.А., Рывкин С.М., Ярошецкий И.Д. // ЖЭТФ. 1970. Т. 58. В. 2. С. 544--550
  2. Gurevich V.L., Laiho R. // ФТТ. 2000. Т. 42. В. 10. С. 1762--1767
  3. Берегулин Е.В., Валов П.М., Рывкин С.М., Ярошецкий И.Д., Лискер И.С., Пукшанский А.Л. // Письма в ЖЭТФ. 1977. Т. 25. В. 2. С. 113--116
  4. Vengurlekar A.S., Ishihara T. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. N 9. P. 091118
  5. Karch J., Olbrich P., Schmalzbauer M., Zoth C., Brinsteiner C., Fehrenbacher M., Wurstbauer U., Glazov M.M., Tarasenko S.A., Ivchenko E.L., Weiss D., Eroms J., Yakimova R., Lara-Avila S., Kubatkin S., Ganichev S.D. // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 105. N 22. P. 227402
  6. Obraztsov P.A., Mikheev G.M., Garnov S.V., Obraztsov A.N., Svirko Yu.P. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. N 9. P. 091903
  7. Mikheev G.M., Nasibulin A.G., Zonov R.G., Kaskela A., Kauppinen E.I. // Nano Lett. 2012. V. 12. N 1. P. 77--83
  8. Noginova N., Rono V., Bezares F.J., Caldwell J.D. // New J. Phys. 2013. V. 15. N 11. P. 113061
  9. Durach M., Noginova N. // Phys. Rev. B. 2016. V. 93. N 16. P. 161406(R)
  10. Akbari M., Onoda M., Ishihara T. // Opt. Express. 2015. V. 23. N 2. P. 823--832
  11. Михеев Г.М., Стяпшин В.М. // Приборы и техника эксперимента. 2012. N 1. С. 93--97
  12. Akbari M., Ishihara T. // Opt. Express. 2017. V. 25. N 3. P. 2143--2152
  13. Glazov M.M., Ganichev S.D. // Phys. Rep. 2014. V. 535. N 3. P. 101--138
  14. Михеев Г.М., Саушин А.С., Зонов Р.Г., Стяпшин В.М. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 10. С. 37--45
  15. Михеев Г.М., Саушин А.С., Ванюков В.В. // Квантовая электроника. 2015. Т. 45. N 5. С. 635--639
  16. Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Александров В.А. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 14. С. 79--87
  17. Михеев Г.М., Саушин А.С., Гончаров О.Ю., Дорофеев Г.А., Гильмутдинов Ф.З., Зонов Р.Г. // ФТТ. 2014. Т. 56. В. 11. С. 2212--2218
  18. Михеев Г.М., Стяпшин В.М., Образцов П.А., Хестанова Е.А., Гарнов С.В. // Квантовая электроника. 2010. T. 40. N 5. C. 425--430
  19. Альперович В.Л., Белиничер В.И., Новиков В.Н., Терехов А.С. // ЖЭТФ. 1981. Т. 80. В. 6. С. 2298--2311
  20. McBride J.R., Hass K.C., Weber W.H. // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. N 10. P. 5016--5028
  21. Nilsson P.O., Shivaraman M.S. // J. Phys. C. 1979. V. 12. N 6. P. 1423--1427
  22. Ahuja R., Auluck S., Johansson B., Khan M.A. // Phys Rev. B. 1994. V. 50. N 4. P. 2128--2132
  23. Sadovnikov S.I., Gusev A.I. // J. Alloys Compd. 2013. V. 573. P. 65--75

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.