"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
Переводная версия: 10.1134/S1063785018090298
Соболев Н.А.1, Калядин А.Е.1, Карабешкин К.В.1, Кютт Р.Н.1, Микушкин В.М.1, Шек Е.И.1, Шерстнев Е.В.1, Вдовин В.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Представлены результаты исследования методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии структурных дефектов, образующихся в эпитаксиальных слоях GaAs при имплантации ионов N+ с энергией 250 keV и дозами 5·1014-5·1016 cm-2. Аморфизации имплантированного слоя не происходит при всех использованных дозах. После имплантации с дозами 5·1014 и 5·1015 cm-2 на дифракционных кривых наблюдается дополнительный пик, обусловленный формированием напряженного слоя GaAs с положительной деформацией, возникающей благодаря образованию кластеров точечных дефектов. При имплантации с дозой 5·1016 cm-2 в слое формируется плотная структура протяженных дефектов, что сопровождается релаксацией макронапряжений до исходного состояния.
  1. Weyers M., Sato M., Ando H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. Pt 2. N 7A. P. L853--L855
  2. Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов М.В., Weber E.R. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 10. С. 59--64
  3. Weng X., Clarke S.J., Ye W., Kumar S., Goldman R.S., Daniel A., Clarke R., Holt J., Sipowska J., Francis A., Rotberg V. // J. Appl. Phys. 2002. V. 92. N 7. P. 4012--4018
  4. Yu K.M., Walukiewicz W., Scarpulla M.A., Dubon O.D., Wu J., Jasinski J., Liliental-Weber Z., Beeman J.W., Pillai M.R., Aziz M.J. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. N 2. P. 1043--1049
  5. Мамутин В.В., Егоров А.Ю., Крыжановская Н.В., Михрин В.С., Надточий А.М., Пирогов Е.В. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 7. С. 823--830
  6. Mikoushkin V.M., Bryzgalov V.V., Gordeev Yu.S., Nikonov S.Yu., Solonitsina A.P., Zhuravleva A.A., Brzhezinskaya M.M. // Phys. Status Solidi С. 2009. V. 6. N 12. P. 2655--2657
  7. Majlinger Z., Bozanic A., Petravic M., Kim K.-J., Kim B., Yang Y.-W. // Vacuum. 2010. V. 84. N 1. P. 41--44
  8. Woo H.-J., Kim G.-D., Choi H.-W., Kim J.-K. // J. Korean Phys. Soc. 2012. V. 60. N 3. P. 383--387
  9. Gao K., Prucnal S., Skorupa W., Helm M., Zhou S. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. N 9. P. 093511
  10. Gao K., Prucnal S., Skorupa W., Helm M., Zhou S. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. N 1. P. 012107
  11. Mikoushkin V.M. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2015. V. 354. N 1. P. 100--104
  12. Соболев Н.А., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Калядин А.Е., Карабешкин К.В., Микушкин В.М., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Шерстнев Е.В., Шмидт Н.М. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 13. С. 44--50
  13. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. // The stopping and range of ions in solids. N.Y.: Pergamon Press, 1985. 321 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.