Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 17 » Статья стр. 103
<<<
Особенности всплеска дрейфовой скорости электронов в DA-pHEMT
DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46577.17372
Переводная версия: 10.1134/S1063785018090092
Пашковский А.Б.1, Новиков С.И.1, Лапин В.Г.1, Лукашин В.М.1, Мартынов Я.Б.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
PDF версия
Предложена простая феноменологическая модель для оценки всплеска дрейфовой скорости электронов в транзисторных гетероструктурах, основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера, Пуассона и гидродинамической системы уравнений сохранения импульса и энергии. Продемонстрировано, что в DA-pHEMT-структурах с дополнительными потенциальными барьерами на основе донорно-акцепторного легирования, усиливающими локализацию горячих электронов, в слое канала для уменьшения времени пролета электронов под затвором создаются даже более благоприятные условия, чем в гетероструктурах с более глубокими квантовыми ямами, полученными за счет увеличения разрыва зон проводимости на границе гетероперехода.
  1. Кальфа А.А., Пашковский А.Б. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 7. С. 1187--1189
  2. Лукашин B.M., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Соколов А.Б. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 17. С. 84--89
  3. Борисов A.A., Журавлев K.C., Зырин C.C., Лапин В.Г., Лукашин В.М., Маковецкая А.А., Новоселец В.И., Пашковский А.Б., Торопов А.И., Урсуляк Н.Д., Щербаков С.В. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 16. С. 41--47
  4. Протасов Д.Ю., Гуляев Д.В., Бакаров А.К., Торопов А.И., Ерофеев Е.В., Журавлев К.С. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. В. 6. C. 77--84
  5. Василевский И.С., Виниченко А.Н., Каргин Н.И. // Тез. докл. 8-й Междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. Мокеровские чтения. М.: НИУ МИФИ, 2017. С. 28--29
  6. Shur M.// Electron. Lett. 1976. V. 12. N 23. P. 615--616
  7. Blotekjar K. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1970. V. 17. N 1. P. 38--47
  8. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. // Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. С. 66
  9. Горфинкель В.Б., Шофман С.Г. // ФТП. 1985. Т. 19. B. 1. C. 83--87
  10. Банов Н.А., Рыжий В.И. // Микроэлектроника. 1986. Т. 15. N 6. С. 490--501
  11. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. Пер. с англ. М.: Мир, 1983. Т. 2. 332 с
  12. Гарматин А.В. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1985. N 3(375). С. 66--68

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme