Предложена простая феноменологическая модель для оценки всплеска дрейфовой скорости электронов в транзисторных гетероструктурах, основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера, Пуассона и гидродинамической системы уравнений сохранения импульса и энергии. Продемонстрировано, что в DA-pHEMT-структурах с дополнительными потенциальными барьерами на основе донорно-акцепторного легирования, усиливающими локализацию горячих электронов, в слое канала для уменьшения времени пролета электронов под затвором создаются даже более благоприятные условия, чем в гетероструктурах с более глубокими квантовыми ямами, полученными за счет увеличения разрыва зон проводимости на границе гетероперехода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.