"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Стимулированное излучение на длине волны 1.3 mum в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
Переводная версия: 10.1134/S1063785018080175
Алёшкин В.Я.1,2, Байдусь Н.В.2, Вихрова О.В.2, Дубинов А.А.1,2, Звонков Б.Н.2, Красильник З.Ф.1,2, Кудрявцев K.Е.1,2, Некоркин С.М.2, Новиков А.В.1,2, Рыков А.В.2, Самарцев И.В.2, Юрасов Д.В.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: sanya@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений получена лазерная структура c метаморфным слоем InGaAsP и квантовыми ямами InGaAs на неотклоненной подложке Si(001) с релаксированным Ge-буфером, излучающая при оптической накачке на длине волны 1.3 mum. Пороговая плотность мощности при температуре жидкого азота при накачке излучением с длиной волны 0.8 mum составила 250 kW/cm2.
  1. Sun C., Wade M.T., Lee Y., Orcutt J.S., Alloatti L., Georgas M.S., Waterman A.S., Shainline J.M., Avizienis R.R., Lin S., Moss B.R., Kumar R., Pavanello F., Atabaki A.H., Cook H.M., Ou A.J., Leu J.C., Chen Y.-H., Asanovic K., Ram R.J., Popovic M.A., Stojanovic V.M. // Nature. 2015. V. 528. P. 534--538
  2. Huang X., Song Y., Masuda T., Jung D., Lee M. // Electron. Lett. 2014. V. 50. P. 1226--1227
  3. Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Fefelov A.G., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskiy A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. P. 061111 (1-5)
  4. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Polubavkina Yu.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Lipovskii A.A., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. // Opt. Express. 2017. V. 25. P. 16754--16760
  5. Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 11. С. 1530--1533
  6. Liu A.Y., Peters J., Huang X., Jung D., Norman J., Lee M.L., Gossard A.C., Bowers J.E. // Opt. Lett. 2017. V. 42. P. 338--341
  7. Uchida T., Kurakake H., Soda H., Yamazaki S. // Electron. Lett. 1994. V. 30. P. 563--565
  8. Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 11. С. 1579--1582
  9. Chow W.W., Koch S.W. Semiconductor-laser fundamentals. Physics of the gain materials. Berlin--Heidelberg: Springer-Verlag, 1999. 245 p
  10. Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. // Physica B. 2016. V. 503. P. 32--37.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.