Формирование тонкого люминесцирующего слоя в кристаллах LiF под действием излучения тлеющего разряда
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), Программа фундаментальных научных исследований государственных академий наук на 2013-2020 годы, раздел II.10.1., № 0307-2016-0004
Минобрнауки РФ, Госзадание на проведение научных исследований (базовая часть), № 3.8401-2017/8.9
Тютрин А.А.
1, Глазунов Д.С.
1, Ракевич А.Л.
1, Мартынович Е.Ф.
1,21Иркутский филиал Института лазерной физики СО РАН, Иркутск, Россия
2Иркутский государственный университет, Иркутск, Россия
Email: filial@ilph.irk.ru
Поступила в редакцию: 6 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
Средствами конфокальной сканирующей люминесцентной микроскопии с временным разрешением методом времякоррелированного счета одиночных фотонов исследовано образование тонких слоев люминесцирующих дефектов на гранях плоских образцов кристаллов фторида лития, размещенных в положительном столбе и темном фарадеевом пространстве тлеющего газового разряда. По характеристикам спектров и кинетики люминесценции, возникшей после облучения, установлено, что в поверхностных слоях кристаллов образуются агрегатные центры окраски. Рассмотрена роль электронов, ионов и фотонов газового разряда в механизме дефектообразования. Показано, что дефекты образуются под действием фотонов вакуумного ультрафиолета. Методом термостимулированной люминесценции измерено распределение интенсивности вакуумного ультрафиолетового излучения в разрядном промежутке. Основным источником этого излучения являются области анодного и катодного падения напряжения в тлеющем разряде.
- Di Lazzaro P., Bollanti S., Flora F., Mezi L., Murra D., Torre A., Bonfigli F., Montereali R.M., Vincenti M.A. // JINST. 2016. V. 11. P. C07002
- Montereali R.M., Bonfigli F., Piccinini M., Nichelatti E., Vincenti M.A. // J. Lumin. 2015. V. 170. Pt 3. P. 761--769
- Barkusky F., Peth C., Mann K. // Rev. Sci. Instrum. 2005. V. 76. N 10. P. 105102
- Милютина Е.В., Петровский А.Ф., Ракевич А.Л., Мартынович Е.Ф. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 9. С. 64--71
- Martynovich E.F., Dresvyansky V.P., Lazareva N.L., Mikhailova S.V., Konyashchenko A.V., Kostryukov P.V., Perminov B.E., Bagayev S.N. // Advanced Photonics. OSA, 2017. P. NoW2C.6
- Drouin D., Couture A.R., Joly D., Tastet X., Aimez V., Gauvin R. // Scanning. 2007. V. 29. P. 92--101
- Зайдель А.Н., Шрейдер Е.Я. Спектроскопия вакуумного ультрафиолета. М.: Наука, 1967. 472 с
- Nakajima T. // J. Nucl. Sci. Technol. 1968. V. 5. N 7. P. 360--364
- Мартынович Е.Ф. Центры окраски в лазерных кристаллах. Иркутск: ИГУ, 2004. 227 с
- Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. 246 с
- Автаева С.В., Оторбаев Д.К., Скорняков А.В. // Вестн. КРСУ. 2002. Т. 2. N 2
- Voitovich A.P., Kalinov V.S., Stupak A.P., Novikov A.N., Runets L.P. // J. Lumin. 2015. V. 157. P. 28--34
- Стриганов А.Р., Свентицкий Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизованных атомов. М.: Атомиздат, 1966. 893 с
- Зайдель А.Н., Прокофьев В.К., Райский С.М., Славный В.А., Шрейдер Е.Я. Таблицы спектральных линий. М.: Наука, 1977. 800 c
- Лисовский В.А., Малиновский В.В., Деревянко В.А. // Вестн. Харьков. ун-та. 2013. N 1059. В. 3(59). P. 65--74
- Lisovskiy V., Koval V., Kravchenko E., Yegorenkov V. // Bull. Am. Phys. Soc. 2012. V. 57. N 8. P. 78
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
