"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn3P2
Переводная версия: 10.1134/S1063785018070258
Петрушков М.О.1, Путято М.А.1, Чистохин И.Б.1, Семягин Б.Р.1, Емельянов Е.А.1, Есин М.Ю.1, Гаврилова Т.А.1, Васев А.В.1, Преображенский В.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: maikdi@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 8 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Представлен оригинальный метод диффузии цинка через узкий зазор в InP, позволяющий воспроизводимо формировать p-n-переходы с заданной глубиной легирования без нарушения морфологии поверхности легируемых слоев. На образцах, легированных этим методом, получены профили распределения носителей заряда в слоях InP. С помощью растровой электронной микроскопии на сколах образцов определена глубина диффузии цинка.
  1. MacDougal M., Hood A., Geske J.,Wang J., Patel F., Follman D., Manzo J., Getty J. // Proc. SPIE. 2011. V. 8012. N 21. P. 801221
  2. Acerbi F., Tosi A., Zappa F. // Sens. Actuators A: Phys. 2013. V. 201. P. 207--213
  3. Pellegrini S., Warburton R., Tan L., Ng J., Krysa A., Groom K., David J., Cova S., Robertson M., Buller G. // IEEE J. Quantum Electron. 2006. V. 42. N 4. P. 397--403
  4. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 c
  5. Yang S., Yoo J. // Surf. Coat. Technol. 2000. V. 131. P. 66--69
  6. Yun I., Hyun K. // Microelectron. J. 2000. V. 31. N 8. P. 635--639
  7. Беляков С.В., Бусыгина Л.А., Гореленок А.Т., Каманин A.B., Кукатов В.В., Меркулов A.B., Мокина И.А., Шмидт Н.М., Юрре Т.А. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 35. С. 35--38
  8. Панютин Е.А. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 13. С. 33--40

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.