Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785018070131 
Соболев Н.А.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Калядин А.Е.1, Карабешкин К.В.1, Микушкин В.М.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Шек Е.И.1, Шерстнев Е.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
С помощью методов масс-спектрометрии вторичных ионов и резерфордовского обратного рассеяния протонов измерены профили концентрации атомов азота и исследована дефектная структура эпитаксиальных слоев GaAs, имплантированных ионами N+ с энергией 250 keV и дозами 5· 1014-5· 1016 cm-2. Установлено, что аморфизации имплантируемых слоев при дозах выше расчетного порога аморфизации не происходит, концентрация образовавшихся точечных дефектов значительно меньше расчетной, а характерной особенностью концентрационных профилей дефектов является их высокая концентрация в приповерхностном слое.
- Yu K.M., Walukiewicz W., Scarpulla M.A., Dubon O.D., Wu J., Jasinski J., Liliental-Weber Z., Beeman J.W., Pillai M.R., Aziz M.J. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. N 2. P. 1043--1049
- Мамутин В.В., Егоров А.Ю., Крыжановская Н.В., Михрин В.С., Надточий А.М., Пирогов Е.В. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 7. С. 823--830
- Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов М.В., Weber E.R. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 10. С. 59--64
- Weyers M., Sato M., Ando H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. Pt 2. N 7A. P. L853--L855
- Majlinger Z., Bozanic A., Petravic M., Kim K.-J., Kim B., Yang Y.-W. // Vacuum. 2010. V. 84. N 1. P. 41--44
- Mikoushkin V.M., Bryzgalov V.V., Gordeev Yu.S., Nikonov S.Yu., Solonitsina A.P., Zhuravleva A.A., Brzhezinskaya M.M. // Phys. Status Solidi С. 2009. V. 6. N 12. P. 2655--2657
- Gao K., Prucnal S., Skorupa W., Helm M., Zhou S. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. N 9. P. 093511
- Gao K., Prucnal S., Skorupa W., Helm M., Shengqiang Zhou S. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. N 1. P. 012107
- Mikoushkin V.M. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. В. 2015. V. 354. N 1. P. 100--104
- Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. N.Y.: Pergamon Press, 1985. 321 p
- Feldman L.C., Mayer J.W., Picraux S.T. // Material analysis by ion channeling. N.Y.: Academic Press, 1982. Ch. 5
- Баранов Е.Е., Емельянов А.М., Лундин В.В., Петров В.Н., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Соболев Н.А., Титков А.Н., Шек Е.И., Шмидт Н.М. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 12. С. 61--64
- Соболев Н.А., Емельянов А.М., Лундин В.В., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Усиков А.С., Емельянов А.М. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 6. С. 674--676
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
