Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 13 » Статья стр. 44
<<<>>>
Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2018.13.46326.17139
Переводная версия: 10.1134/S1063785018070131
Соболев Н.А.1, Бер Б.Я.1, Казанцев Д.Ю.1, Калядин А.Е.1, Карабешкин К.В.1, Микушкин В.М.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Шек Е.И.1, Шерстнев Е.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 29 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
PDF версия
С помощью методов масс-спектрометрии вторичных ионов и резерфордовского обратного рассеяния протонов измерены профили концентрации атомов азота и исследована дефектная структура эпитаксиальных слоев GaAs, имплантированных ионами N+ с энергией 250 keV и дозами 5· 1014-5· 1016 cm-2. Установлено, что аморфизации имплантируемых слоев при дозах выше расчетного порога аморфизации не происходит, концентрация образовавшихся точечных дефектов значительно меньше расчетной, а характерной особенностью концентрационных профилей дефектов является их высокая концентрация в приповерхностном слое.
  1. Yu K.M., Walukiewicz W., Scarpulla M.A., Dubon O.D., Wu J., Jasinski J., Liliental-Weber Z., Beeman J.W., Pillai M.R., Aziz M.J. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. N 2. P. 1043--1049
  2. Мамутин В.В., Егоров А.Ю., Крыжановская Н.В., Михрин В.С., Надточий А.М., Пирогов Е.В. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 7. С. 823--830
  3. Жуков А.Е., Семенова Е.С., Устинов М.В., Weber E.R. // ЖТФ. 2001. Т. 71. В. 10. С. 59--64
  4. Weyers M., Sato M., Ando H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. Pt 2. N 7A. P. L853--L855
  5. Majlinger Z., Bozanic A., Petravic M., Kim K.-J., Kim B., Yang Y.-W. // Vacuum. 2010. V. 84. N 1. P. 41--44
  6. Mikoushkin V.M., Bryzgalov V.V., Gordeev Yu.S., Nikonov S.Yu., Solonitsina A.P., Zhuravleva A.A., Brzhezinskaya M.M. // Phys. Status Solidi С. 2009. V. 6. N 12. P. 2655--2657
  7. Gao K., Prucnal S., Skorupa W., Helm M., Zhou S. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. N 9. P. 093511
  8. Gao K., Prucnal S., Skorupa W., Helm M., Shengqiang Zhou S. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. N 1. P. 012107
  9. Mikoushkin V.M. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. В. 2015. V. 354. N 1. P. 100--104
  10. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. N.Y.: Pergamon Press, 1985. 321 p
  11. Feldman L.C., Mayer J.W., Picraux S.T. // Material analysis by ion channeling. N.Y.: Academic Press, 1982. Ch. 5
  12. Баранов Е.Е., Емельянов А.М., Лундин В.В., Петров В.Н., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Соболев Н.А., Титков А.Н., Шек Е.И., Шмидт Н.М. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 12. С. 61--64
  13. Соболев Н.А., Емельянов А.М., Лундин В.В., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Усиков А.С., Емельянов А.М. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 6. С. 674--676

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme