Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра
Переводная версия: 10.1134/S106378501807009X 
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), мол_а_дк, 16-32-60087
Лошкарев И.Д.1, Василенко А.П.1, Труханов Е.М.1, Колесников А.В.1, Петрушков М.О.1, Путято М.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: idl@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
Продемонстрирован подход к экспресс-диагностике эпитаксиальных пленок с резким снижением плотности прорастающих дислокаций. Использован метод высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, в частности картирование обратного пространства. Проведен структурный анализ гетеросистем GaAs/Si(001) с низкотемпературными слоями GaAs. Зарегистрировано снижение плотности прорастающих дислокаций в пленке GaAs с образованием малоугловой границы.
- Dey S., Joshi S., Garcia-Gutierrez D., Chaumont M., Campion A., Jose-Yacaman M., Banerjee S.K. // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. P. 1607--1612
- Jung D., Callahan P.G., Shin B., Mukherjee K., Gossard A.C., Bowers J.E. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. P. 225703
- Mukhopadhyay P., Kumar R., Ghosh S., Chakraborty A., Bag A., Kabi S., Banerji P., Biswas D. // J. Cryst. Growth. 2015. V. 418. P. 138--144
- Petrushkov M.О., Putyato M.А., Gutakovsky A.K., Preobrazhenskii V.V., Loshkarev I.D., Emelyanov E.А., Semyagin B.R., Vasev A.V. // J. Phys.: Conf. Ser. 2016. V. 741. P. 012020
- Yu K.M., Kaminska M., Liliental-Weber Z. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. P. 2850--2856
- Matthews J.W. // Phil. Mag. 1966. V. 13. P. 1207--1221
- Takagi Y., Furukawa Y., Wakahara A., Kan H. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 063506
- Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Труханов Е.М., Колесников А.В., Путято М.А., Есин М.Ю., Петрушков М.О. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 4. С. 64--71
- Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Труханов Е.М., Колесников А.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В., Пчеляков О.П. // Изв. РАН. Сер. физ. 2013. Т. 77. N 3. С. 264--267
- Suzuki H., Sasaki T., Takahasi M., Ohshita Y., Kojima N., Kamiya I., Fukuyama A., Ikari T., Yamaguchi M. // Jpn. J. Appl. Phys. 2017. V. 56. P. 08MA06
- Колесников А.В., Ильин А.С., Труханов Е.М., Василенко А.П., Лошкарев И.Д., Дерябин А.С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2011. Т. 75. N 5. С. 652--655.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
