Предложены условия плазменного распыления эпитаксиальных систем PbSe/CaF₂/Si(111) в высокоплотной аргоновой плазме высокочастотного индукционного разряда низкого давления, при которых на поверхности пленок селенида свинца формируются субмикронные полые структуры свинца. Обработка проводилась при низкой энергии ионов Ar⁺ (20-30 eV), близкой к пороговой энергии распыления, при временах обработки 60-240 s. С помощью методов электронной микроскопии и локального энергодисперсионного рентгеновского анализа описаны свойства получаемых объектов. Показано, что размеры структур, их форма и поверхностная плотность изменяются в широких пределах и определяются временем плазменной обработки и температурой поверхности. Рассматриваются физические процессы, приводящие к формированию ансамбля полых частиц свинца в процессе плазменного распыления.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.