"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние бора на структуру и проводимость тонких пленок, получаемых лазерной абляцией алмаза при 700oC
Переводная версия: 10.1134/S1063785018060263
Российский научный фонд, 17-12-01535
Министерство образования и науки Российской Федераци, Государственное задание, 3.4639.2017/6.7
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), 007-Г3/43363/26
Романов Р.И. 1, Фоминский В.Ю. 1, Зинин П.В. 2, Троян И.А. 3, Фоминский Д.В. 1, Джумаев П.С. 1, Филоненко В.П.4
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, Москва, Россия
3Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и Фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
4Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия
Email: limpo2003@mail.ru, vyfominskij@mephi.ru, zosimpvz@mail.ru, itrojan@mail.ru, dmitryfominski@gmail.com, dzhumaev_pavel@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Исследованы структурные особенности тонких пленок СВx, полученных при импульсной лазерной абляции мишеней, изготовленных из прессованного алмазного порошка с добавлением порошка бора в соотношении атомов B/C=0.33. Осаждение пленок проводилось на нагретые подложки, что обусловливало возможность диффузионных процессов на поверхности и в объеме пленок с участием атомов С и В. Установлено, что выбранные условия получения пленок обеспечивали их эффективное легирование бором (0.4≤ x ≤ 0.6). Внедрение атомов В сопровождалось образованием химических связей В-С, а формирование графитовых sp2-связей и их упорядочение в нанокластеры с ламинарной упаковкой подавлялось. При комнатной температуре пленки обладали очень низким удельным сопротивлением (~ 1.4 mOmega · cm) и проявляли металлический тип проводимости при понижении температуры до 77 K.
  1. Moussa J.E., Cohen M.L. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. N 6. P. 064518
  2. Zinin P.V., Ming L.C., Ishii H.A., Jia R., Acosta T., Hellebrand E. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. Iss. 11. P. 114905
  3. Bhaumik A., Sachan R., Gupta S., Narayan J. // ACS Nano. 2017. V. 11. Iss. 12. P. 11915--11922
  4. Song W., Kim Y., Jung D.S., Lee S., Jung W., Kwon O., Kim H.K., Kim M.S., An K.S., Park C.-Y. // Appl. Surf. Sci. 2013. V. 284. P. 53--58
  5. Zhang S., He Z., Ji X., Lu W., Wang C., Shen Q., Zhang L. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. Iss. 15. P. 154906
  6. Nakazawa H., Osozawa R., Mohnai Y., Nara Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 2017. V. 56. N 10. P. 105501
  7. Быковский Ю.А., Неволин В.Н., Фоминский В.Ю. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов. М.: Энергоатомиздат, 1991. 237 c
  8. Фоминский В.Ю., Григорьев С.Н., Гнедовец А.Г., Романов Р.И. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 14. С. 86--94
  9. Cappelli E., Scilletta C., Orlando S., Flammini R., Iacobucci S., Ascarelli P. // Thin Solid Films. 2005. V. 482. Iss. 1-2. P. 305--310
  10. Sikora A., Bourgeois O., Sanchez-Lopez J.C., Rouzaud J.-N., Rojas T.C., Loir A.-S., Garden J.-L., Garrelie F., Donnet C. // Thin Solid Films. 2009. V. 518. Iss. 5. P. 1470--1474

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.