Вышедшие номера
Влияние бора на структуру и проводимость тонких пленок, получаемых лазерной абляцией алмаза при 700oC
Переводная версия: 10.1134/S1063785018060263
Российский научный фонд, 17-12-01535
Министерство образования и науки Российской Федераци, Государственное задание, 3.4639.2017/6.7
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), 007-Г3/43363/26
Романов Р.И. 1, Фоминский В.Ю. 1, Зинин П.В. 2, Троян И.А. 3, Фоминский Д.В. 1, Джумаев П.С. 1, Филоненко В.П.4
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, Москва, Россия
3Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и Фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
4Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия
Email: limpo2003@mail.ru, vyfominskij@mephi.ru, zosimpvz@mail.ru, itrojan@mail.ru, dmitryfominski@gmail.com, dzhumaev_pavel@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.

Исследованы структурные особенности тонких пленок СВx, полученных при импульсной лазерной абляции мишеней, изготовленных из прессованного алмазного порошка с добавлением порошка бора в соотношении атомов B/C=0.33. Осаждение пленок проводилось на нагретые подложки, что обусловливало возможность диффузионных процессов на поверхности и в объеме пленок с участием атомов С и В. Установлено, что выбранные условия получения пленок обеспечивали их эффективное легирование бором (0.4≤ x ≤ 0.6). Внедрение атомов В сопровождалось образованием химических связей В-С, а формирование графитовых sp2-связей и их упорядочение в нанокластеры с ламинарной упаковкой подавлялось. При комнатной температуре пленки обладали очень низким удельным сопротивлением (~ 1.4 mOmega · cm) и проявляли металлический тип проводимости при понижении температуры до 77 K.