Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Локальные колебания связей кремний-кремний в нитриде кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785018050279 
Российский научный фонд, RSF-MOST, 18-49-08001
MOST, RSF-MOST, 107-2923-E-009 -001 -MY3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Republic of China
Email: volodin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 5 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.
В спектрах комбинационного рассеяния света пленок почти стехиометрического аморфного нитрида кремния (a-Si3N4) обнаружен вклад от локальных колебаний связей кремний-кремний (Si-Si). Это является прямым подтверждением того, что в почти стехиометрическом a-Si3N4 имеются связи Si-Si, которые, согласно теоретическим предсказаниям, являются ловушками для электронов и дырок, т. е. ответственны за эффект памяти в Si3N4.
- Gritsenko V.A. // Thin films on Si: electronic and photonic applications. World Scientific Press, 2016. P. 273--322
- Гриценко В.А., Исламов Д.Р. Физика диэлектрических пленок. Механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти. Новосибирск: Параллель, 2017. 351 с
- Карпушин А.А., Сорокин А.Н., Гриценко В.А. // Письма в ЖЭТФ. 2016. Т. 103. В. 3. С. 189--193
- Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Orlov O.M., Krasnikov G.Ya. // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 109. N 6. P. 062904
- Гриценко В.А. // УФН. 2008. Т. 178. N 7. С. 727--737
- Austin I.G., Jackson W.A., Searle T.M., Bhat P.K.// Phil. Mag. B. 1985. V. 52. N 3. P. 271--288
- Brodsky M.H., Cardona M., Cuomo J.J. // Phys. Rev. B. 1977. V. 16. N 8. P. 3556--3571
- Гриценко В.А., Гриценко Д.В., Новиков Ю.Н., Квок P.В.М., Белло И. // ЖЭТФ. 2004. Т. 125. В. 4. С. 868--878
- Корчагина Т.Т., Марин Д.В., Володин В.А., Попов А.А., Vergnat M. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 11. С. 1557--1563
- Kirk C.T. // Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 2. P. 1255--1273
- Chemarin C., Champagnon B., Panczer G. // J. Non-Cryst. Solids. 1997. V. 216. P. 111--115
- Revesz A.G., Walrafen G.E. // J. Non-Cryst. Solids. 1983. V. 54. N 3. P. 323--333
- Sharma S.K., Mammone J.F., Nicol M.F. // Nature. 1981. V. 292. P. 140--141
- Володин В.А., Тимофеев В.А., Туктамышев А.Р., Никифоров А.И. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 105. В. 5. С. 305--310
- Wada N., Solin S.A., Wong J., Prochazka S. // J. Non-Cryst. Solids. 1981. V. 43. N 1. P. 7--15
- Bandet J., Despax B., Caumont M. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N 11. P. 7899--7904
- Scardera G., Puzzer T., Conibeer G., Green M. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. N 10. P. 104310.
- Volodin V.A., Efremov M.D., Gritsenko V.A., Kochubei S.A. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. N 9. P. 1212--1214
- Корчагина Т.Т., Володин В.А., Попов А.А., Хорьков К.С., Герке М.Н. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. В. 13. С. 62--69
- Gritsenko V.A. // Silicon nitride in electronics. N.Y.: Elsevier, 1988. P. 138--187.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
