Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 9 » Статья стр. 34
<<<>>>
Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
DOI: 10.21883/PJTF.2018.09.46063.17211
Переводная версия: 10.1134/S1063785018050024
Алексеев П.А.1, Бородин Б.Р.1, Дунаевский М.С.1, Смирнов А.Н.2, Давыдов В.Ю.1, Лебедев С.П.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: npoxep@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 января 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.
PDF версия
Методом локального анодного окисления получены области оксида графена на SiC. Изменение свойств поверхности подтверждено методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Получены экспериментальные данные о проводимости, потенциале и топографии окисленных областей. Показано, что окисление приводит к повышению поверхностного потенциала. Установлена связь между такими параметрами окисления, как скорость сканирования и напряжение на зонде. Методом локального анодного окисления выполнена литография графеновой наноленты (nanoribbon) шириной ~ 20 nm, а также получено наносужение (nanoconstriction) шириной ~ 10 nm.
  1. Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S.V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S.V., Grigorieva I.V., Firsov A.A. // Science. 2004. V. 306. P. 666--669
  2. Lin Y.-M., Jenkins K.A., Valdes-Garcia A., Small J.P., Farmer D.B., Avouris P. // Nano Lett. 2009. V. 9. P. 422--426
  3. Han T.-H., Lee Y., Choi M.-R., Woo S.-H., Bae S.-H., Hong B.H., Ahn J.-H., Lee T.-W. // Nature Photon. 2012. V. 6. P. 105--110
  4. Emtsev K.V., Bostwick A., Horn K., Jobst J., Kellogg G.L., Ley L., McChesney J.L., Ohta T., Reshanov S.A., Rohrl J., Rotenberg E., Schmid A.K., Waldmann D., Weber H.B., Seyller T. // Nature Mater. 2009. V. 8. P. 203--207
  5. Давыдов В.Ю., Усачёв Д.Ю., Лебедев С.П., Смирнов А.Н., Левицкий В.С., Елисеев И.А., Алексеев П.А., Дунаевский М.С., Вилков О.Ю., Рыбкин А.Г., Лебедев А.А. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 8. С. 1116--1124
  6. Song H.S., Li S.L., Miyazaki H., Sato S., Hayashi K., Yamada A., Yokoyama N., Tsukagoshi K. // Sci. Rep. 2012. V. 2. P. 337
  7. Masubuchi S., Ono M., Yoshida K., Hirakawa K., Machida T. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 082107
  8. Colangelo F., Piazza V., Coletti C., Roddaro S., Beltram F., Pingue P. // Nanotechnology. 2017. V. 28. P. 105709
  9. Arul R., Oosterbeek R.N., Robertson J., Xu G., Jin J., Simpson M.C. // Carbon. 2016. V. 99. P. 423--431
  10. Beams R., Can cado L.G., Novotny L. // J. Phys.: Condens. Matter. 2015. V. 27. P. 083002
  11. Can cado L.G., Takai K., Enoki T., Endo M., Kim Y.A., Mizusaki H., Jorio A., Coelho L.N., Magalhaes-Paniago R., Pimenta M.A. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 163106
  12. Arai M., Masubuchi S., Nose K., Mitsuda Y., Machida T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2015. V. 54. P. 04DJ06

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme