В слоях электроосажденных субмикронных частиц и на шлифованных алмазным порошком М1 пластинах InSb, InAs, GaAs получены качественно одинаковые спектральные характеристики плазменно-резонансного отражения в области 15-25 mum. Для самого узкозонного полупроводника InSb (граница собственного поглощения ~7 mum) наблюдается спектральная полоса поглощения 2.1-2.3 mum, которая интерпретирована в модели оптического возбуждения кулоновски взаимодействующих электронов. В мультизеренном слое полученных химически наночастиц PbS (50-70 nm) наблюдались максимумы поглощения 7, 10, 17 mum, которые можно объяснить электронными переходами по правилам квантования энергии для квантовых точек.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.