"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотовольтаические характеристики светодиодов на основе AlGaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785018040259
Соколовский А.А. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: asokol@list.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

Исследованы фотовольтаические характеристики более 20 типов светодиодов, излучающих в диапазоне 830-970 nm. Показано, что полупроводниковые структуры AlxGa1-xAs, применяемые для изготовления таких светодиодов, могут использоваться также для изготовления фотовольтаических преобразователей монохроматического излучения с достаточно высоким КПД.
  1. Клайн Б.Р. Оптическая система электропитания для электронных схем с использованием одного фотогальванического элемента. Патент РФ 2431915. Публ. 20.10.2011
  2. Задворнов С.А. Исследование методов построения гибридных волоконно-оптических измерительных систем. Автореф. канд. дис. М.: Ин-т радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), 2009. 22 с
  3. Соколовский А.А. Микрооптические элементы и устройства для волоконно-оптических измерительных систем. Автореф. докт. дис. М.: Ин-т радиотехники и электроники (Фрязинский филиал), 2009. 39 с
  4. Dumke M., Heiserich G., Franke S., Schulz L., Overmeyer L. // J. Syst. Cybernet. Inform. 2010. V. 8. N 1. P. 55--60
  5. Андреев В.М. // Соврем. электроника. 2014. N 6. С. 20--25
  6. Algora C., Diaz V. // IEEE Trans. Electron Dev. 1998. V. 45. N 9. P. 2047--2054

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.