Вышедшие номера
Новые кластерные вторичные ионы для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии
Переводная версия: 10.1134/S106378501804003X
Дроздов М.Н.1, Дроздов Ю.Н.1, Лобаев М.А.2, Юнин П.А.1,3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: drm@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

Предложен новый подход для количественного анализа концентрации атомов бора в алмазе на установках вторично-ионной масс-спектрометрии с времяпролетным масс-анализатором. Кроме известных линий масс-спектра, содержащих бор: B, BC и BC2, обнаружено большое количество линий кластерных вторичных ионов BCN, их интенсивность на один-два порядка возрастает при использовании зондирующих ионов Bi3. Наибольшую интенсивность в порядке убывания имеют линии BC4, BC6, BC2 и BC8, при суммировании четырех наиболее сильных линий чувствительность возрастает на порядок в сравнении с известным режимом регистрации BC2. В монокристаллических пленках алмаза, выращенных в оптимальных условиях, измерены характеристики дельта-слоя бора с рекордными параметрами: ширина дельта-слоя порядка 2 nm, концентрация 6.4· 1020 cm-3 с перепадом на четыре порядка по концентрации бора для легированного и нелегированного алмаза. DOI: 10.21883/PJTF.2018.07.45885.17121
  1. Wilson R.G. // Int. J. Mass Spectrometry Ion Process. 1995. V. 143. P 43--49
  2. Wilson R.G., Zavada J.M. // Mater. Sci. Eng. R. 2012. V. 73. P. 101--128
  3. Chicot G., Fiori A., Volpe P.N., Tran Thi T.N., Gerbedoen J.C., Bousquet J., Alegre M.P., Pinero J.C., Araujo D., Jomard F., Soltani A., De Jaeger J.C., Morse J., Hartwig J., Tranchant N., Mer-Calfati C., Arnault J.C., Delahaye J., Grenet T., Eon D., Omnes F., Pernot J., Bustarret E. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. P. 083702
  4. Donato N., Pagnano D., Napoli E., Longobardi G., Udrea F. // Diamond Rel. Mater. 2017. V. 78. P. 73--82
  5. Fiori A., Jomard F., Teraji T., Koizumi S., Isoya J., Gheeraert E., Bustarret E. // Appl. Phys. Express. 2013. V. 6. P. 045801
  6. Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Lobaev M.A., Muchnikov A.B., Radishev D.B., Isaev V.A., Chernov V.V., Bogdanov S.A., Drozdov M.N., Butler J.E. // Phys. Status Solidi RRL. 2016. V. 10. P. 324--327
  7. Butler J.E., Vikharev A., Gorbachev A., Lobaev M., Muchnikov A., Radischev D., Isaev V., Chernov V., Bogdanov S., Drozdov M., Demidov E., Surovegina E., Shashkin V., Davidov A., Tan H., Meshi L., Pakpour-Tabrizi A.C., Hicks M.-L., Jackman R.B. // Phys. Status Solidi RRL. 2017. V. 11. P. 1600329. DOI 10.1002/pssr.201600329
  8. Fiori A., Jomard F., Teraji T., Chicot G., Bustarret E. // Thin Solid Films. 2014. V. 557. P. 222--226
  9. Guzman de la Mata B., Sanz-Hervas A., Dowsett M.G., Schwitters M., Twitchen D. // Diamond Rel. Mater. 2007. V. 16. P. 809--814
  10. Mer-Calfati C., Tranchant N., Volpe P.N., Jomard F., Weber S., Bergonzo P., Arnault J.C. // Mater. Lett. 2014. V. 115. P. 283--286
  11. Ogura M., Kato H., Makino T., Okushi H., Yamasaki S. // J. Crystal Growth. 2011. V. 317. P. 60--63
  12. Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Пахомов Г.Л., Травкин В.В., Юнин П.А. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 24. С. 45--54
  13. Ber B., Babor P., Brunkov P.N., Chapon P., Drozdov M.N., Duda R., Kazantsev D., Polkovnikov V.N., Yunin P., Tolstogouzov A. // Thin Solid Films. 2013. V. 540. P. 96--105
  14. Van Vaeck L., Adriaens A., Gijbels R. // Mass Spectrometry Rev. 1999. V. 18. P. 1--47
  15. Eaton S.C., Anderson A.B., Angus J.C., Evstefeeva Y.E., Pleskov Y.V. // Electrochem. Solid-State Lett. 2002. V. 5. N 8. P. G65--G68

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.