"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Дозовая зависимость формирования нанокристаллов в имплантированных гелием слоях кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785018040077
Ломов А.А. 1, Мяконьких А.В. 1, Чесноков Ю.М. 2, Денисов В.В.3,4, Кириченко А.Н. 3, Денисов В.Н. 3,4,5
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
4Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
5Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
Email: lomov@ftian , miakonkikh@ftian.ru , chessyura@yandex.ru, akir73@mail.ru, denisovvn@tisnum.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

Впервые доказана возможность формирования нанокристаллов в слоях кремния, подвергнутых плазменно-иммерсионной ионной имплантации гелия с энергией 5 keV. Влияние дозы имплантации на микроструктуру слоев изучено методами рентгеновской рефлектометрии, просвечивающей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света. Установлено, что процесс формирования кремниевых нанокристаллов с размерами 10-20 nm имеет ярко выраженную зависимость от потока ионов и происходит при дозе 5· 1017 cm-2 с последующим отжигом при 700-800oC. Показано, что превышение этой дозы приводит к разрушению верхнего защитного субслоя и деградации оптических свойств нанокристаллов. DOI: 10.21883/PJTF.2018.07.45883.17112
  1. Mangolini L. // J. Vac. Sci. Technol. В. 2013. V. 31. N 2. P. 020801 (1--29)
  2. Priolo F., Gregorkiewicz T., Galli M., Krauss T.F. // Nature Nanotechnol. 2014. V. 9. P. 19--32
  3. Sun C., Wade M.T., Lee Y., Orcutt J.S., Alloatti L., Georgas M.S., Waterman A.S., Shainline J.M., Avizienis R.R., Lin S., Moss B.R., Kumar R., Pavanello F., Atabaki A.H., Cook H.M., Ou A.J., Leu J.C., Chen Y.-H., Asanovic K., Ram R.J., Popovic M.A., Stojanovic V.M. // Nature. 2015. V. 528. P. 534--538
  4. Korotchenkov G., Cho B.K. // Critical Rev. Solid State Mater. Sci. 2010. V. 35. N 3. P. 153--260
  5. Lihao H., Zeman M., Smets A.H.M. // Nanoscale. 2015. V. 7. N 18. P. 8389--8397
  6. Турищев С.Ю., Терехов В.А., Коюда Д.А., Панков К.Н., Ершов А.В., Грачев Д.А., Машин А.И., Домашевская Э.П. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 10. С. 1327--1334
  7. Griffoen C.C., Evans J.H., de Jong P.C., van Veen A. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1987. V. 27. N 3. P. 417--420
  8. Siegele R., Weatherly G.C., Haugen H.K., Lockwood D.J., Howe L.M. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. N 11. P. 1319--1321
  9. Мяконьких А.В., Рогожин А.Е., Руденко К.В., Лукичев В.Ф. // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. N 4. С. 306--313
  10. Lomov A., Shcherbachev K., Chesnokov Yu., Kiselev D. // J. Appl. Cryst. 2017. V. 50. Pt. 2. P. 539--546

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.