Вышедшие номера
Дозовая зависимость формирования нанокристаллов в имплантированных гелием слоях кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063785018040077
Ломов А.А. 1, Мяконьких А.В. 1, Чесноков Ю.М. 2, Денисов В.В.3,4, Кириченко А.Н. 3, Денисов В.Н. 3,4,5
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
4Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
5Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
Email: lomov@ftian , miakonkikh@ftian.ru , chessyura@yandex.ru, akir73@mail.ru, denisovvn@tisnum.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

Впервые доказана возможность формирования нанокристаллов в слоях кремния, подвергнутых плазменно-иммерсионной ионной имплантации гелия с энергией 5 keV. Влияние дозы имплантации на микроструктуру слоев изучено методами рентгеновской рефлектометрии, просвечивающей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света. Установлено, что процесс формирования кремниевых нанокристаллов с размерами 10-20 nm имеет ярко выраженную зависимость от потока ионов и происходит при дозе 5· 1017 cm-2 с последующим отжигом при 700-800oC. Показано, что превышение этой дозы приводит к разрушению верхнего защитного субслоя и деградации оптических свойств нанокристаллов. DOI: 10.21883/PJTF.2018.07.45883.17112