Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 6 » Статья стр. 77
<<<>>>
Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием
DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098
Переводная версия: 10.1134/S1063785018030240
Протасов Д.Ю.1,2, Гуляев Д.В.1, Бакаров А.К.1, Торопов А.И.1, Ерофеев Е.В.3, Журавлев К.С.1,4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: protasov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 26 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
PDF версия
Приводятся измеренные импульсным методом полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в обычных гетероструктурах pHEMT и гетероэпитаксиальных структурах (ГЭС) с донорно-акцепторным легированием (DA-pHEMT), в которых глубина квантовой ямы (КЯ) увеличена на 0.8-0.9 eV при помощи акцепторных слоев. Показано, что в ГЭС DA-pHEMT. скорость насыщенного дрейфа в 1.2-1.3 раза выше, чем в обычных ГЭС pHEMT. В спектрах электролюминесценции ГЭС DA-pHEMT отсутствуют полосы, связанные с рекомбинацией в широкозонных слоях - барьерах КЯ. Интенсивность электролюминесценции КЯ в таких ГЭС не насыщается при увеличении напряженности электрического поля. Это свидетельствует о подавлении переноса в реальном пространстве горячих электронов из КЯ в окружающие еe барьерные слои, с чем и связано увеличение насыщенной скорости дрейфа. DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098
  1. Лукашин B.M., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Соколов А.Б. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 17. С. 84-89
  2. Gulyaev В.М., Zhuravlev K.C., Bakarov A.K., Toropov A.I., Protasov D.Yu., Gutakovskii A.K., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2016. V. 49. P. 095108 (1-9)
  3. Лукашин B.M., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Голант Е.И., Капралова А.А. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 5. С. 684-692
  4. Борисов A.A., Журавлев K.C., Зырин C.C., Лапин В.Г., Лукашин В.М., Маковецкая А.А., Новоселец В.И., Пашковский А.Б., Торопов А.И., Урсуляк Н.Д., Щербаков С.В. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. Вып. 16. С. 41-47.
  5. Gribnikov Z.S., Hess K., Kosinovsy A.G. // Appl. Phys. Rev. 1995. V. 77. N 4. P. 1337-1373
  6. Мокеров В.Г., Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Пожела Ю., Пожела К., Сужеделис А., Юцене В., Пашкевич Ч. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 4. С. 478-482
  7. Protasov D.Yu., Zhuravlev K.S. // Solid State Electron. 2017. V. 129. P 66-72.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme