Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 4 » Статья стр. 66
<<<>>>
Экспериментальное наблюдение задержанного ударно-ионизационного пробоя полупроводниковых структур без p-n-переходов
DOI: 10.21883/PJTF.2018.04.45640.17086
Переводная версия: 10.1134/S1063785018020177
Брылевский В.И.1, Смирнова И.А.1, Подольская Н.И.1, Жарова Ю.А.1, Родин П.Б.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rodin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.
PDF версия
Экспериментально исследована динамика ударно-ионизационного переключения полупроводниковых структур без p-n-переходов при приложении субнаносекундного высоковольтного импульса. Исследованы кремниевые n+-n-n+-структуры и объемные образцы ZnSe c плоскими омическими контактами. Обнаружено обратимое лавинное переключение в проводящее состояние за время около 200 ps, сходное с хорошо известным явлением задержанного лавинного пробоя обратносмещенных диодных p+-n-n+-структур. Приведено сравнение эксперимента с численным моделированием. DOI: 10.21883/PJTF.2018.04.45640.17086
  1. Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 15. С. 950--953.
  2. Kardo-Sysoev A.F. // Ultra-wideband radar technology / Ed. J.D. Taylor. Boca Raton-London-N.Y.-Washington: CRS Press, 2001. Ch. 9
  3. Grekhov I.V. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2010. V. 38. P. 1118--1123
  4. Месяц Г.А., Насибов А.С., Шпак В.Г., Шунайлов С.А, Яландин М.И. // ЖЭТФ. 2008. Т. 133. В. 6. С. 1162-1168
  5. Брылевский В.И., Смирнова И.А., Родин П.Б., Грехов И.В. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 8. С. 80-87
  6. Алферов Ж.И., Грехов И.В., Ефанов В.М., Кардо-Сысоев А.Ф., Корольков В.И., Степанова М.Н. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 18. С. 1089--1093
  7. Brylevskiy V.I., Smirnova I.A., Rozhkov A.V., Brunkov P.N., Rodin P.B., Grekov I.V. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2016. V. 44. P. 1941--1946
  8. Focia R.J., Schamiloghu Е., Flederman C.B., Agee F.J., Gaudet J. // IEEE Trans. Plasma Sci. 1997. V. 25. P. 138--144
  9. Любyтин C.K., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. В. 5. С. 36--46
  10. Гусев А.И., Любyтин C.K., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 8. С. 1095--1106
  11. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 11. С. 1281--1308
  12. http://www.silvaco.com
  13. Selberherr S. Analysis and simulation of semiconductor devices. Wien-N.Y.: Springer-Verlag, 1984. 293 p
  14. Valdinoci М., Ventura D., Vecchi M.C, Rudan M., Baccarani G., Illien F., Stricker A., Zullinob L. // Proc. of the Int. Conf. on simulations of semiconductor processes and devices (SISPAD '99). Kyoto, Japan, 1999. P. 27--30
  15. Подольская Н.И., Родин П.Б. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 11. С. 55--62

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme