"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S1063785018020116
Резник Р.Р.1,2,3,4,5, Цырлин Г.Э., Штром И.В.1,2, Хребтов А.И.1, Сошников И.П.1,2,6, Крыжановская Н.В.1, Моисеев Э.И.1, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
5Department of Engineering, Durham University, Durham DH1 3LE, United Kingdom
6Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: moment92@mail.ru, cirlin.beam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 января 2018 г.

Представлены результаты исследования роста нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111). Использование специальной методики подготовки подложек непосредственно перед ростом позволило получить практически 100% когерентных по отношению к подложке нитевидных нанокристаллов. Обнаружено интенсивное излучение от подобных наноструктур на длине волны ~ 1.3 mum при комнатной температуре. DOI: 10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991
  1. Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 12. С. 1585--1628
  2. Glas F. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 121302
  3. Dubrovskii V.G., Shtrom I.V., Reznik R.R., Samsonenko Yu.V., Khrebtov A.I., Soshnikov I.P., Rouvimov S., Akopian N., Kasama T., Cirlin G.E. // Cryst. Growth Design. 2016. V. 16. P. 7251--7255
  4. Cirlin G.E., Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Samsonenko Yu.B., Bouravleuv A.D., Harmand J.C., Glas F. // Phys. Status Solidi RRL 2009. V. 3. P. 112--114
  5. Cirlin G.E., Dubrovskii V.G., Samsonenko Yu.B., Bouravleuv A.D., Durose K., Proskuryakov Y.Y., Mendes B., Bowen L., Kaliteevski M.A., Abram R.A., Zeze D. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. P. 035202
  6. Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Soshnikov I.P., Tonkikh A.A., Sibirev N.V., Samsonenko Yu.B., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 205325
  7. Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Устинов В.М. // ФТП. 2005. Т. 39. В. 5. С. 587--594
  8. Цырлин Г.Э., Штром И.В., Резник Р.Р., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Буравлев А.Д., Сошников И.П. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 11. С. 1441--1444
  9. Tchernycheva M., Сirlin G.E., Patriarche G., Travers L., Zwiller V., Perinetti U., Harmand J.-C. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 1500--1504
  10. Harmand J.-C., Jabeen F., Liu L., Patriarche G., Gauthron K., Senellart P., Elvira D., Beveratos A. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 378. P. 519--523
  11. Minot E.D., Kelkensberg F., van Kouwen M., van Dam J.A., Kouwenhoven L.P., Zwiller V., Borgstrom M.T., Wunnicke O., Verheijen M.A., Bakkers E.P.A.M. // Nano Lett. 2007. V. 7. P. 367-371
  12. Цырлин Г.Э., Tchernycheva M., Patriarche G., Harmand J.-C. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 2. C. 184-187
  13. Khmissi H., Naji K., Hadj Alouane M.H., Chauvin N., Bru-Chevallier C., Ilahi B., G. Patriarche, G. Gendry M. // J. Crystal Growth. 2012. V. 344. P. 45--50
  14. Kuyanov P., LaPierre R.R. // Nanotechnology. 2015. V. 26. P. 315202
  15. Efros A.L., Rosen M. // Ann. Rev. Mater. Sci. 2000. V. 3. P. 475--521
  16. Byun H.J., Lee J.C., Yang H. // J. Colloid Interface Sci. 2011. V. 355. P. 35--41
  17. Munshi A.M., Dheeraj D.L., Fauske V.T., Kim D.C., Huh J., Reinertsen J.F. Ahtapodov L., Lee K.D., Heidari B., van Helvoort A.T.J., Fimland B.O., Weman H. // Nano Lett. 2014. V. 14. P. 960--966
  18. Antypas G.A., Yep T.O. // J. Appl. Phys. 1971. V. 42. P. 3201--3204

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.