Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 2 » Статья стр. 96
<<<>>>
Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке
DOI: 10.21883/PJTF.2018.02.45470.17006
Переводная версия: 10.1134/S106378501801011X
Бессолов В.Н.1, Гущина Е.В.1, Коненкова Е.В.1,2, Львова Т.В.1, Пантелеев В.Н.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: bes.triat@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
PDF версия
Изучалось влияние сульфидной пассивации на начальные стадии зарождения и роста слоев AlN методом хлор-гидридной газофазной эпитаксии на ориентированной по плоскости (100) подложке кремния. Установлено, что после обработки подложки в водном растворе (NH4)2S наблюдается столбчатое зарождение кристаллов гексагонального нитрида алюминия двух кристаллографических модификаций, развернутых на угол 30o. С использованием сульфидной обработки разработан простой способ удаления оксидов и подготовки поверхности подложки Si(100), пригодной для эпитаксии слоев III-нитридов. DOI: 10.21883/PJTF.2018.02.45470.17006
  1. Zhang X., Hou Y.-T., Feng Z.-C., Chen J.L. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 6165--6170
  2. Dadgar A., Schulze F., Wienecke M., Gadanecz A., Blasing J., Veit P., Hempel T., Diez A., Christen J., Krost A. // New J. Phys. 2007. V. 9. P. 389--393
  3. Lebedev V., Jinshek J., Kranblich J., Kaiser U., Schroter B., Richter W. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 230. P. 426--431
  4. Valcheva E., Birch J., Persson P.O. oA., Tungasmita S., Hultman L. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 123514 (1--6)
  5. Wang Wei-Kai, Jiang M.-C. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. P. 095503 (1--4)
  6. Hughes A.J., Thorsen A.C. // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. P. 2304--2310
  7. Бессолов В.Н., Лебедев М.В. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 11. С. 1281--1299
  8. Hu A., Wang W., Xu Q. // J. Semicond. 2009. V. 30. P. 084001 (1--4)
  9. Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Сорокин Л.М., Феоктистов Н.А., Шарофидинов Ш.Ш., Щеглов М.П., Кукушкин С.А., Метс Л.И., Осипов А.В. // Опт. журн. 2011. Т. 78. N 7. С. 23--28
  10. http://www.ntmdt-si.ru/
  11. Lin C.M., Lien W.C., Felmetsger V.V., Hopcroft M.A., Senesky D.G., Pisano A.P. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 141907 (1--3)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme