Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 1 » Статья стр. 85
<<<
Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm
DOI: 10.21883/PJTF.2018.01.45434.17017
Переводная версия: 10.1134/S1063785018010078
Леденцов Н.Н.1,2,3, Щукин В.А.1,2, Kalosha V.P.1, Ledentsov, Jr. N.N.1, Kropp J.R.1, Agustin M.1, Блохин С.А.2, Блохин А.А.2, Бобров М.А.2, Кулагина М.М.2, Задиранов Ю.М.2, Малеев Н.А.2
1VI Systems GmbH, Berlin, Germany
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Nikolay.Ledentsov@v-i-systems.com
Поступила в редакцию: 29 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
PDF версия
Вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) с апертурой, ограниченной оксидом, и резонансной полостью на основе GaAlAs с высоким содержанием Al позволяют получить максимальный коэффициент оптического ограничения моды (/2 дизайн") и подавить оптическую мощность за пределами апертуры. ВИЛ с двумя связанными полостями дает возможность дополнительно резко усилить потери латеральных мод высокого порядка на утекание в оксидированную область и получить одномодовую лазерную генерацию для диаметров апертуры до 5 mum. Одномодовые антиволноводные ВИЛ позволяют осуществить сверхбыструю передачу данных со скоростью до 160 Gbit/s. Структура, в которой активная среда помещена в нижний распределенный брэгговский отражатель (РБО), а полость и верхний РБО диэлектрические, позволяет снизить в 2 раза температурный сдвиг длины волны излучения (до ~ 0.03 nm/K.) DOI: 10.21883/PJTF.2018.01.45434.17017
  1. Iga K. // IEEE J. Selected Topics Quant. Electron. 2000. V. 6. Iss. 6. P. 1201--1215
  2. Chang-Hasnain C.J., Harbison J.P., Hasnain G. et al. // IEEE J. Quant. Electron. 1991. V. 27. Iss. 6. P. 1402--1409
  3. Ledentsov N., Shchukin V. US Patent 7,339,965. Grant date: March 4. 2008. Filed date: April 5, 2005
  4. Ledentsov N.N., Kropp J.-R., Shchukin V.A. et al. // Proc. SPIE. 2015. V. 9381. P. 93810F
  5. Mutig A., Fiol G., Moser P. et al. // Electron. Lett. 2008. V. 44. Iss. 22. P. 1305--1306
  6. Kropp J.-R., Steinle G., Schafer G. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30. P. 045001
  7. Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Lott J.A. // Future trends in microelectronics: Into the cross currents / Eds S. Luryi, J. Xu, A. Zaslavsky. John Wiley \& Sons, 2013. P. 142--159
  8. Shchukin V., Ledentsov N.N., Kropp J. et al. // IEEE J. Quant. Electron. 2014. V. 50. Iss. 12. P. 990--995
  9. Stepniak G., Lewandowski A., Kropp J.-R. et al. // Electron. Lett. 2016. V. 52. Iss. 8. P. 633--635
  10. Kottke C., Caspar C., Jungnickel V. et al. // Optical Fiber Comminication Conf. OSA Technical Digest (online). Optical Society of America, 2017. P. W41.7
  11. Lott J.A., Shchukin V.A., Ledentsov N.N. et al. // Electron. Lett. 2011. V. 47. Iss. 12. P. 717--718
  12. Kalosha V.P., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Jr. et al. // Proc. SPIE. 2017. V. 10122. P. 101220K-1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme