"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза
РФФИ, 16-02-00450-а
Кукушкин В.А. 1,2, Радищев Д.Б. 1, Лобаев М.А.1, Богданов С.А.1, Здоровейщев А.В. 3, Чунин И.И.3
1Институт прикладной физики РАН, Нижний Новогород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: vakuk@appl.sci-nnov.ru, dibr@inbox.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.

Создан фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы модулированно-легированного бором алмаза. Поглощение электромагнитного излучения происходит в тонком биметаллическом слое Cr (толщина 7 nm) и Au (толщина 5.5 nm), находящемся на поверхности осажденной алмазной пленки, состоящей из высоколегированного (до концентрации 5· 1019 cm-3) дельта-слоя с толщиной 3 nm, низколегированного (~ 1017 cm-3) слоя с толщиной 800 nm и высоколегированного (1020 cm-3) слоя с толщиной ~ 10 mum, на котором сформирован омический контакт Ti(50 nm)/Pt(15 nm)/ Au(30 nm). Рождающиеся в биметаллическом слое дырки диффундируют в алмаз, ускоряются электрическим полем, создаваемым пространственным зарядом в низколегированном слое, и создают фототок. Измеренная ампер-ваттная чувствительность достигает 1 muA/W при длине волны излучения 445 nm и 0.18 muA/W при 1.06 mum. DOI: 10.21883/PJTF.2017.24.45343.16860
  1. Collins A.T. // CVD diamond for electronic devices and sensors / Ed. R.S. Sussmann, Chichester: Wiley, 2009. P. 165--184
  2. Гуляев Ю.В., Чучева Г.В., Набиев А.Э., Алтухов А.А., Попов А.В., Фещенко В.С., Шепелев В.А. // Радиотехника и электроника. 2016. Т. 61. N 4. С. 395--398
  3. Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Набиев Р.М., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С., Теверовская Е.Г. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 7. С. 48--55
  4. Bruzzi M., Hartjes F., Lagomarsino S., Menichelli D., Mersi S., Miglio S., Scaringella M., Sciortino S. // Phys. Status Solidi A. 2003. V. 199. Iss. 1. P. 138--144
  5. Majdi S., Kolahdouz M., Moeen M., Kovi K.K., Balmer R.S., Radamson H.H., Isberg J. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Iss. 16. P. 163510 (1-4)
  6. Sze S.M. // Physics of semiconductor devices. N.Y.: Wiley, 1981. Ch. 13. [ Зи С. // Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 2. C. 357]
  7. Butler J.E., Geis M.W., Krohn K.E., Lawless J., Jr., Deneault S., Lyszczarz T.M., Flechtner D., Wright R. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. N 3. P. S67--S71
  8. Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Lobaev M.A., Muchnikov A.B., Radishev D.B., Isaev V.A., Chernov V.V., Bogdanov S.A., Drozdov M.N., Butler J.E. // Phys. Status Solidi. RRL. 2016. V. 10. Iss. 4. P. 324--327
  9. Kukushkin V.A., Bogdanov S.A. // Diamond Rel. Mater. 2015. V. 60. P. 94--98

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.