Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термическая стабильность несплавных омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN
Павлов А.Ю.
1, Павлов В.Ю.
1, Слаповский Д.Н.
1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
Email: p.alex.ur@yandex.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Представлены результаты исследования деградации несплавных омических контактов с эпитаксиально-доращиваемым сильнолегированным GaN к гетероструктурам с двумерным электронным газом (ДЭГ). Исследовалось изменение значения относительного удельного контактного сопротивления при температурах до 600oC для металлизаций Ti/Pd/Au, Cr/Au и Cr/Pd/Au. Наилучшую стойкость к температурным воздействиям показал состав металлизации Cr/Pd/Au, сопротивление которого уменьшалось при рабочих температурах 400oC. Впервые продемонстрировано, что наибольший вклад в увеличение значения контактного сопротивления к ДЭГ при нагреве выше 400oC вносит сопротивление структуры металл-полупроводник (Cr/Pd/Au-n+-GaN), при этом при температурах 400oC и выше происходит уменьшение значения сопротивления между сильнолегированным GaN и ДЭГ. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45267.16917
- Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Бугаев А.С. и др. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. В. 2. С. 135--143
- Михайлович С.В., Галиев P.P., Зуев и др. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 45. В. 16. С. 9--14
- Павлов В.Ю., Павлов А.Ю. // Нано- и микросистемная техника. 2016. Т. 18. В. 10. С. 635--644
- Lee M.L., Sheu J.-K., Hu C.C. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 182106
- Chang Z., Shu-Ming Z., Hui W. et al. // Chin. Phys. Lett. 2012. V. 29. N 1. P. 017301
- Павлов В.Ю., Павлов А.Ю., Слаповский Д.Н. и др. // Тез. докл. 11-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". 2017. С. 132--133
- Арутюнян С.С., Павлов А.Ю., Павлов В.Ю. и др. // ФТП. 2016. Т. 50, В. 8. С. 1138--1142
- Guo J., Li G., Faria F. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2012. V. 33. N 4. P. 525-527
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
