Емкостные свойства структур на основе мезопористого кремния, облученного малыми дозами гамма-излучения
Галушка В.В.1, Жаркова Э.А.1, Терин Д.В.1, Сидоров В.И.1, Хасина Е.И.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: lab32@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.
Исследовано влияние гамма-излучения малых доз на емкостные свойства структур на основе мезопористого кремния. По вольт-фарадным характеристикам на различных частотах тестирующего сигнала найдено распределение концентрации оборванных заряженных связей по глубине слоя, которое изменяется с облучением. Показано уменьшение концентрации и времени релаксации поверхностных заряженных состояний в структуре со слоем мезопористого кремния при гамма-облучении, что делает перспективным материал для применения в приборах с управляемой реактивностью (варакторах), стойких к гамма-облучению. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45164.16936
- Биленко Д.И., Галушка В.В., Жаркова Э.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 21. С. 80
- Аверкиев Н.С., Капитонова Л.М., Лебедев А.А. и др. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 12. С. 2178
- Аверкиев Н.С., Шик А.Я. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 2. С. 199
- Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 12. С. 1420
- Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Шпаковский С.В., Wieck A. // ЖТФ. 2010. Т. 80. В. 10. С. 74
- Биленко Д.И., Галушка В.В., Жаркова Э.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 10. С. 1405
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 455 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.