"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
Шубина К.Ю. 1, Березовская Т.Н.1, Мохов Д.В.1, Мизеров А.М. 1, Никитина Е.В. 1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: rein.raus.2010@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Исследована зависимость кристаллографической полярности эпитаксиальных слоев GaN, полученных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111), от параметров нитридизации и начальных условий роста. Разработана экспресс-методика определения полярности эпитаксиальных слоев GaN. Экспериментально установлено, что параметры нитридизации кремниевой подложки не влияют на полярность слоя GaN. Показано, что температура нагрева подложки на этапе зарождения эпитаксиального слоя GaN является одним из факторов, определяющих его полярность. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45161.16799
  • Hellman E.S. // MRS Int. J. Nitride Semicond. Res. 1998. V. 3. P. 1--11
  • Stutzmann M., Ambacher O., Eickhoff M., Karrer U., Lima Pimenta A., Neuberger R., Schalwig J., Dimitrov R., Schuck P.J., Grober R.D. // Phys. Status Solidi B. 2001. V. 228. P. 505--512
  • Sobanska M., Klosek K., Zytkiewicz Z.R., Borysiuk J., Witkowski B.S., Lusakowska E., Reszka A., Jakiela R. // Cryst. Res. Technol. 2012. V. 47. P. 307--312
  • Kumar M., Rajpalke M.K., Roul B., Bhat T.N., Sinha N., Kalghatgi A.T., Krupanidhi S.B. // Appl. Surf. Sci. 2011. V. 257. P. 2107--2110
  • Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Eltrochem. Soc. 1986. V. 133. P. 666--671
  • Visconti P., Huang D., Reshchikov M.A., Yun F., Cingolani R., Smith D.J., Jasinski J., Swider W., Liliental-Weber Z., Morkoc H. // Mater. Sci. Eng. B. 2002. V. 93. P. 229--233
  • Hong S.K., Yao T., Kim B.J., Yoon S.Y., Kim T.I. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 82-84.
  • Ng H.M., Weimann N.G., Chowdhury A. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 650--653
  • Gangopadhyay S., Schmidt T., Falta J. // Phys. Status. Solidi B. 2006. V. 243. P. 1416--1420
  • Mizerov A.M., Timoshnev S.N., Nikitina E.V., Lazarenko A.A. Role of Si-=SUB=-x-=/SUB=-N-=SUB=-y-=/SUB=- interlayer in growth kinetics of GaN on Si(111) during plasma-assisted molecular beam epitaxy // 24th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia, 2016
  • Yamabe N., Yamamoto Y., Ohachi T. // Phys. Status Solidi C. 2011. V. 8. P. 1552--1555.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.