Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия
Мохов Д.В.1, Березовская Т.Н.1,2, Кузьменков А.Г.2,3, Малеев Н.А.2,4, Тимошнев С.Н.1, Устинов В.М.2,3,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: kuzmenkov@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
Рассмотрен подход к обеспечению прецизионной калибровки уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия, основанный на исследовании зависимости концентрации носителей заряда в тестовом слое GaAs от температуры источника кремния методами на основе эффекта Холла и CV-профилирования. Для измерений параметров используются стандартные или аттестованные методики измерений и средства измерений утвержденного типа. Показано, что использование метода CV-профилирования для контроля концентрации носителей заряда в тестовом слое GaAs при тщательной оптимизации измерительной процедуры обеспечивает наивысшую точность и достоверность калибровки уровня легирования эпитаксиальных слоев с относительной погрешностью не более 2.5%. DOI: 10.21883/PJTF.2017.19.45086.16931
- Liu W. Fundamentals of III-V devices: HBT's, MESFET's, and HFETs/HEMTs. N.Y.: John Wiley, 1999. P. 520
- Standard test methods for measuring resistivity and Hall coefficient and determining Hall mobility in single-crystal semiconductors. ASTM Designation F76-08, Annual Book of ASTM Standards. V. 10.04.2011
- Reynolds N.D., Panda C.D., Essick J.M. // Am. J. Phys. 2014. V. 82. Iss. 3. P. 196
- Blood P. // Semicond. Sci. Technol. 1986. V. 1. N 1. P. 7
- Shepherd F.R., Vandervorst W., Lau W.M. et al. // Proc. of the 5th Int. Conf. Washington, DC, 1985. P. 350--352
- Schroder D.K. Semiconductor material and device characterization. 3rd ed. New Jersey: John Wiley and Sons, 2006. P. 800
- ФР.1.27.2012.12687. Методика измерения средней толщины слоев арсенида галлия в полупроводниковых материалах методом фотолюминесценции. СПб.: СПб АУ НОЦНТ РАН, 2012. 13 с
- ГОСТ 25948-83. Арсенид галлия и фосфид галлия монокристаллические. Измерение удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла. Введ. 01.01.85. Изм. N 1 (ИУС 6-1989). 16 с
- ФР.1.31.2017.26704. Стандарт организации. Структуры полупроводниковые на основе арсенидов металлов третьей группы. Методика измерений концентрации носителей заряда и определения распределения этой величины по толщине структуры методом вольт-емкостного профилирования. МИ 023-59503334-2017. СПб.: СПбАУ РАН, 2017. 33 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
