Вышедшие номера
Усилитель мощности X-диапазона с высоким КПД на основе технологии AlGaN/GaN
Туральчук П.А. 1, Кириллов В.В.1, Осипов П.Э.2, Вендик И.Б.1, Вендик О.Г.1, Парнес М.Д.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Резонанс", Санкт-Петербург
Email: pavel.turalchuk@mwlab.spb.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Обсуждаются вопросы разработки микроволновых усилителей мощности на основе транзисторов с гетеропереходом AlGaN/GaN с целью увеличения их коэффициента полезного действия. Основное внимание уделено синтезу трансформирующих цепей, обеспечивающих реактивную нагрузку на частотах второй и третьей гармоник и комплексный импеданс на фундаментальной частоте, что позволяет оптимизировать режим работы усилителя мощности с точки зрения уменьшения рассеиваемой мощности и соответственно повышения эффективности. Представлены результаты экспериментального исследования микроволнового усилителя мощности на полевом транзисторе с затвором Шоттки с 80 электродами на GaN pHEMT-транзисторе с длиной затвора 0.25 nm и шириной затвора 125 nm. Усилитель имеет импульсную выходную мощность 35 W и КПД по добавленной мощности не менее 50% на рабочей частоте 9 GHz. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44942.16621