Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Усилитель мощности X-диапазона с высоким КПД на основе технологии AlGaN/GaN
Туральчук П.А.
1, Кириллов В.В.1, Осипов П.Э.2, Вендик И.Б.1, Вендик О.Г.1, Парнес М.Д.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "Резонанс", Санкт-Петербург
2ООО "Резонанс", Санкт-Петербург
Email: pavel.turalchuk@mwlab.spb.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.
Обсуждаются вопросы разработки микроволновых усилителей мощности на основе транзисторов с гетеропереходом AlGaN/GaN с целью увеличения их коэффициента полезного действия. Основное внимание уделено синтезу трансформирующих цепей, обеспечивающих реактивную нагрузку на частотах второй и третьей гармоник и комплексный импеданс на фундаментальной частоте, что позволяет оптимизировать режим работы усилителя мощности с точки зрения уменьшения рассеиваемой мощности и соответственно повышения эффективности. Представлены результаты экспериментального исследования микроволнового усилителя мощности на полевом транзисторе с затвором Шоттки с 80 электродами на GaN pHEMT-транзисторе с длиной затвора 0.25 nm и шириной затвора 125 nm. Усилитель имеет импульсную выходную мощность 35 W и КПД по добавленной мощности не менее 50% на рабочей частоте 9 GHz. DOI: 10.21883/PJTF.2017.17.44942.16621
- Grebennicov A. Switchmode RF and microwave power amplifier. Academic Press, 2012. 345 p
- Colantonio P., Giannini F., Limiti E. High efficiency RF and microwave solid state power amplifier. A John Wiley and Sons, 2009. P. 495
- Berglund B., Johansson J., Lejon T. // Ericsson Rev. 2006. N 3. P 92--96
- Raab F.H. // IEEE Trans. MТТ. 2001. V. 49. N 8. P. 1462--1468
- Cripps S.C. RF power amplifiers for wireless communications. Norwood: Artech House, 2006. 456 p
- Вендик О.Г., Вендик И.Б., Туральчук П.А., Парнес Я.М., Парнес М.Д. // Письма в ЖТФ. 2016. T. 42. В. 21. С. 1--8
- Tuffy N., Zhu A., Brazil T.J. // IEEE MTT-S. Int. Baltimore, 2011. P. 1--4
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
