Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инжекция эмиссионных электронов в мультизеренной наноструктуре полупроводников
Жуков Н.Д.1, Хазанов А.А.1, Переверзев Я.Е.2
1ООО "Реф-Свет", Саратов
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.
Методами аппроксимации экспериментальных ВАХ исследован механизм инжекции эмиссионных электронов и сделан вывод о том, что инжекция в монокристаллическую и мультизеренную полупроводниковые структуры может быть описана одной физической моделью, состоящей в туннельном преодолении электронами поверхностного барьера и диффузионно-дрейфовом транспорте неравновесных электронов в полупроводнике. Определяющей закономерностью ВАХ является степенная зависимость с показателями степени от 2 до 4. Анализ ВАХ позволяет оценить произведение величин подвижности и диффузионной длины неравновесных электронов. Результаты могут быть использованы в исследованиях и при разработках мультизеренных структур для газовых и оптических сенсоров, приемников и излучателей инфракрасного и терагерцевого диапазонов. DOI: 10.21883/PJTF.2017.12.44703.16644
- Третьяков Ю.Д. // Нанотехнологии. Экология. Производство. 2011. N 1(8). С. 98
- Глухова О.Е., Гороховский А.В., Жуков Н.Д. и др. Основы наноиндустрии. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2009. 384 с
- Пещерова С.М., Непомнящих А.М., Павлов Л.А. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 4. С. 492
- Бобков А.А., Максимов А.И., Мошников В.А. и др. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 10. С. 1402
- Витухновский А.Г., Ващенко А.А., Бычковский Д.Н. и др. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 12. С. 1591
- Achermann M., Petruska M.A., Kos S. et al. // Nature. 2004. V. 429. P. 642
- Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г., Хазанов А.А. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 6. С. 772
- Жуков Н.Д., Мосияш Д.С., Хазанов А.А. и др. // Прикладная физика. 2015. N 3. С. 93
- Глуховской Е.Г., Жуков Н.Д. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 14. С. 47
- Глезер А.М., Столяров В.Л., Томчук А.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2016. Т. 42. В. 1. С. 103
- Егоров Н.В., Шешин Е.П. Электронная эмиссия. М.: Интеллект, 2011
- Гольдман Е.И., Гуляев Ю.B., Ждан А.Г. и др. // ФТП. 2010. Т. 44. В. 8. С. 1050
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М: Мир, 1975
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973
- Мурсататов Ш.А., Лейдерман А.Ю., Айтбаев Б.У. и др. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 10. С. 1917
- Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
